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TIP112AN

更新时间： 2024-11-04 20:11:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
62页 434K
描述
2A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN

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TIP112AN 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.69外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：500
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TIP112AN 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications.  
•
High DC Current Gain —  
= 2500 (Typ) @ I = 1.0 Adc  
Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 30 mAdc  
h
FE  
C
•
V
V
V
= 60 Vdc (Min) — TIP110, TIP115  
= 80 Vdc (Min) — TIP111, TIP116  
= 100 Vdc (Min) — TIP112, TIP117  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
•
Low Collector–Emitter Saturation Voltage —  
= 2.5 Vdc (Max) @ I = 2.0 Adc  
V
CE(sat)  
C
•
•
Monolithic Construction with Built–in Base–Emitter Shunt Resistors  
TO–220AB Compact Package  
*MAXIMUM RATINGS  
*Motorola Preferred Device  
TIP110,  
TIP115  
TIP111,  
TIP116  
TIP112,  
TIP117  
Rating  
Symbol  
Unit  
DARLINGTON  
2 AMPERE  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTORS  
60–80–100 VOLTS  
50 WATTS  
Collector–Emitter Voltage  
V
CEO  
60  
60  
80  
80  
100  
100  
Vdc  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CB  
V
EB  
Vdc  
Vdc  
Adc  
5.0  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
2.0  
4.0  
Base Current  
I
B
50  
mAdc  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
50  
0.4  
Watts  
W/ C  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
A
Derate above 25 C  
P
D
2.0  
0.016  
Watts  
W/ C  
Unclamped Inductive Load Energy —  
Figure 13  
E
25  
mJ  
Operating and Storage Junction  
T , T  
J stg  
–65 to +150  
C
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
CASE 221A–06  
TO–220AB  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
2.5  
C/W  
θJC  
θJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
R
62.5  
C/W  
T
A
T
C
3.0 60  
2.0 40  
1.0 20  
T
C
T
A
0
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
160  
T, TEMPERATURE (°C)  
Figure 1. Power Derating  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
3–895  
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data  
1234567...62

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP112AS ONSEMI

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 		2A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
TIP112AU ONSEMI

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 		2A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
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TIP112-DR6259 RENESAS

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 		2A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast

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