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TIM5964-80SL

更新时间： 2024-01-23 03:18:49

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TIM5964-80SL 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.05
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	15 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	26 A
最大漏极电流 (ID)：	26 A	FET 技术：	JUNCTION
最高频带：	C BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	250 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

TIM5964-80SL

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta= 25 C )

CHARACTERISTICS

Drain-Source Voltage

SYMBOL

VDS

VGS

IDS

UNIT

RATING

-5

Gate-Source Voltage

Drain Current

Total Power Dissipation (Tc= 25 C)

250

Channel Temperature

Storage Temperature

Tch

175

Tstg

-65 to +175

PACKAGE OUTLINE (7-AA02C)

Unit in mm

(1) Gate

(2) Source

(3) Drain

HANDLING PRECAUTIONS FOR PACKAGE MODEL

Soldering iron should be grounded and the operating time should not exceed 10 seconds

at 260°C.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
TIM5964-80SL_08	TOSHIBA	IM3=-30 dBc at Pout= 42.0dBm Single Carrier Level	获取价格
TIM5964-8A	TOSHIBA	TRANSISTOR RF POWER, FET, HERMETIC SEALED, 2-11D1B, 3 PIN, FET RF Power	获取价格
TIM5964-8L	TOSHIBA	TRANSISTOR C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, 2-11D1B, 3 PIN, FET	获取价格
TIM5964-8LC	TOSHIBA	暂无描述	获取价格
TIM5964-8SL	TOSHIBA	MICROWAVE POWER GaAs FET	获取价格
TIM5964-8SL-251	TOSHIBA	TRANSISTOR RF POWER, FET, 2-11D1B, 2 PIN, FET RF Power	获取价格