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THDT6512

更新时间: 2024-09-15 20:59:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 162K
描述
85V, 10A, SILICON SURGE PROTECTOR, PLASTIC, DIP-8

THDT6512 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:IN-LINE, R-PDIP-T8
针数:8Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.92最大转折电压:85 V
最大钳位电压:7 V配置:COMPLEX
最大维持电流:150 mAJESD-30 代码:R-PDIP-T8
通态非重复峰值电流:10 A元件数量:2
端子数量:8最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
认证状态:Not Qualified重复峰值反向电压:65 V
子类别:Silicon Surge Protectors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
触发设备类型:SILICON SURGE PROTECTORBase Number Matches:1

THDT6512 数据手册

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