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TGBLN4406-5DL8

更新时间： 2024-04-09 19:00:19
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银河微电 - BL Galaxy Electrical /
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6页 585K
描述
40V, Dual N Channel MOSFETs

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TGBLN4406-5DL8 数据手册

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Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
TGBLN4406-5DL8  
1000  
100  
10  
10  
tp= 10 us  
δ = 0.5  
1
0.1  
100 us  
1 ms  
0.2  
0.1  
0.05  
0.02  
0.01  
10 ms  
TC = 25℃  
δ = tp/T= 0.01  
100 ms  
0.01  
1
0.000001  
0.00001  
0.0001  
0.001  
tP(s)  
0.01  
0.1  
0.1  
1
10  
100  
VDS(V)  
Fig 13 Safe Operation Area  
Fig 14 Maximum transient thermal impedance  
MTM1432A: November 2023 [2.0]  
www.gmesemi.com  
5
123456

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