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TGBLN4406-5DL8

更新时间： 2024-04-09 19:00:19

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		/
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40V, Dual N Channel MOSFETs

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TGBLN4406-5DL8 数据手册

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

TGBLN4406-5DL8

1.8

1.6

1.4

1.2

V_DS= 20V

-55℃

V_GS= 10V; I_D= 20A

25℃

150℃

0.8

0.6

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150 175

T_J(℃)

V_GS(V)

Fig 7 Normalized On-Resistance vs. Junction

Temperature

Fig 8 Transfer Characteristics

10000

f = 100kHz

V_DS= 32V；I_D= 20A

Ciss

1000

Coss

100

Crss

0.1

100

Qg(nC)

V_DS(V)

Fig 9 Capacitance Characteristics

Fig 10 Gate-Charge Characteristics

1.06

1.04

1.02

1.2

1.1

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

I_D= 250uA

0.98

0.96

0.94

-75 -50 -25

75 100 125 150 175

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150 175

T_J(℃)

Fig 11 Normalized Breakdown Voltage

vs. Junction Temperature

Fig 12 Normalized V_GS(th)vs. Junction Temperature

MTM1432A: November 2023 [2.0]

www.gmesemi.com

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