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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.75 |
| 标称电路换相断开时间： | 50 µs | 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 200 mA | 最大直流栅极触发电压： | 3 V |
| 最大漏电流： | 25 mA | 通态非重复峰值电流： | 4000 A |
| 最大通态电压： | 2 V | 最大通态电流： | 400000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -45 °C |
| 断态重复峰值电压： | 1800 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TF440-18D | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.8KV V(DRM),400A I(T),TO-220 |
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| TF44020C | DYNEX |
获取价格 |
Fast Switching Thyristor |
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| TF440-20C | DYNEX |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 400000mA I(T), 2000V V(DRM), |
|
| TF440-20D | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,2KV V(DRM),400A I(T),TO-220 |
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| TF444-01Q | STMICROELECTRONICS |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER,100V V(DRM),440A I(T),TO-200AB |
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| TF444-01Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,100V V(DRM),440A I(T),TO-200AB |
|
| TF444-04X | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),440A I(T),TO-200AB |
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| TF444-04Y | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),440A I(T),TO-200AB |
|
| TF444-04Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),440A I(T),TO-200AB |
|
| TF444-06B | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),440A I(T),TO-200AB |
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