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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 标称电路换相断开时间： | 30 µs | 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 200 mA | 最大直流栅极触发电压： | 3 V |
| 最大漏电流： | 25 mA | 通态非重复峰值电流： | 5000 A |
| 最大通态电流： | 470000 A | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -45 °C | 断态重复峰值电压： | 100 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TF447-02Z | STMICROELECTRONICS |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),470A I(T),TO-200AB |
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| TF4-47047015% | VISHAY |
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General Purpose Inductor, 470uH, 15%, 1 Element |
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| TF447-04B | STMICROELECTRONICS |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),470A I(T),TO-200AB |
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| TF447-04Y | STMICROELECTRONICS |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),470A I(T),TO-200AB |
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| TF447-04Z | STMICROELECTRONICS |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),470A I(T),TO-200AB |
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| TF447-06Y | STMICROELECTRONICS |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),470A I(T),TO-200AB |
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| TF447-08B | STMICROELECTRONICS |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER,800V V(DRM),470A I(T),TO-200AB |
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| TF447-08X | STMICROELECTRONICS |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER,800V V(DRM),470A I(T),TO-200AB |
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| TF447-08Y | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,800V V(DRM),470A I(T),TO-200AB |
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| TF44710A | DYNEX |
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Fast Switching Thyristor |
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