Datasheet > TDW3C115N18LOF

TDW3C115N18LOF

更新时间： 2024-11-24 07:44:23

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
10页	116K
描述
Trigger Device,

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TDW3C115N18LOF 数据手册

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT W3C 115 N 12...18 (ISOPACK)

Datenblatt gilt auch für TD W3H

Datasheet also applicable for TD W3H

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

T_vj= - 40°C...T_{vj max}

V_DRM, V_RRM

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

1200, 1400

1600, 1800

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

T_vj= - 40°C...T_{vj max}

V_DSM

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

1200, 1400

1600, 1800

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= + 25°C...T

V_RSM

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

1300, 1500

1700, 1900

vj max

non-repetitive peak reverse voltage

I_TRMSM

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)

RMS on-state current (per chip)

100

T_C= 85°C

I_RMS

Effektivstrom (pro Phase)

115

141

T_C= 73°C

RMS current (per arm)

T_A= 45°C, KM 11

T_A= 45°C, KM 33

T_A= 35°C, KM 14 (V = 45l/s)

T_A= 35°C, KM 33 (V = 90l/s)

115

T_vj= 25°C, t_p= 10ms

I_TSM

Stoßstrom-Grenzwert

1000

870

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

surge current

T_vj= 25°C, t_p= 10ms

Grenzlastintegral

I²t

5000

3780

A²s

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

I²t-value

DIN IEC 747-6

(di/dt)_cr

(dv/dt)_cr

Kritische Stromsteilheit

120

A/µs

f = 50Hz, i_GM= 0,6A, di_G/dt = 0,6A/µs

critical rate of rise of on-state current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

Kritische Spannungssteilheit

8. Kennbuchstabe / 8th letter F

critical rate of rise of off-state voltage

1000

V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

T_vj= T_{vj max}, i_T= 150A

v_T

Durchlaßspannung

on-state voltage

max. 1,81

0,95

T_vj= T_{vj max}

V_(T0)

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj=T_{vj max}

r_T

Ersatzwiderstand

slope resistance

4,3

mΩ

T_vj= 25°C, v_D= 6V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

Zündstrom

max.

150

2,5

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6V

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

max.

5,0

2,5

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

max.

0,2

200

600

T_vj= 25°C, v_D= 6V, R_A= 5Ω

Haltestrom

µs

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 6V, R_GK≥ 20Ω

I_L

Einraststrom

i_GM= 0,6A, di_G/dt = 0,6A/µs, t_g= 10µs

latching current

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse currents

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 747-6

t_gd

Zündverzug

1,2

T_vj= 25°C, i_GM= 0,6A, di_G/dt = 0,6A/µs

gate controlled delay time

MOD-E1; R. Jörke

09. Feb 99

A /99

Seite/page 1(9)

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与TDW3C115N18LOF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TDW-5D2405	TRUMPOWER	获取价格	DC/DC CONVERTERS 4:1 Input, 5-6 Watt
TDW-5D4805	TRUMPOWER	获取价格	DC/DC CONVERTERS 4:1 Input, 5-6 Watt
TDW-5S2405	TRUMPOWER	获取价格	DC/DC CONVERTERS 4:1 Input, 5-6 Watt
TDW-5S4805	TRUMPOWER	获取价格	DC/DC CONVERTERS 4:1 Input, 5-6 Watt
TDW-6D2412	TRUMPOWER	获取价格	DC/DC CONVERTERS 4:1 Input, 5-6 Watt
TDW-6D2415	TRUMPOWER	获取价格	DC/DC CONVERTERS 4:1 Input, 5-6 Watt
TDW-6D4812	TRUMPOWER	获取价格	DC/DC CONVERTERS 4:1 Input, 5-6 Watt
TDW-6D4815	TRUMPOWER	获取价格	DC/DC CONVERTERS 4:1 Input, 5-6 Watt
TDW-6S2412	TRUMPOWER	获取价格	DC/DC CONVERTERS 4:1 Input, 5-6 Watt
TDW-6S2415	TRUMPOWER	获取价格	DC/DC CONVERTERS 4:1 Input, 5-6 Watt

与TDW3C115N18LOF相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

36
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

28
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

56
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

53

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TDW3C115N18LOF

TDW3C115N18LOF 数据手册

与TDW3C115N18LOF相关器件

与TDW3C115N18LOF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TDW3C115N18LOF

TDW3C115N18LOF 数据手册

与TDW3C115N18LOF相关器件

与TDW3C115N18LOF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？