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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | WAFER | 包装说明： | X-XUUC-N |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.40 | 风险等级： | 5.76 |
| 应用： | FAST RECOVERY | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | X-XUUC-N | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 最大输出电流： | 91 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | UNSPECIFIED | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 200 V | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 35 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| T-DWEP49-12 | LITTELFUSE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 77A, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWEP50-10 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 82A, 1000V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWEP55-06 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 80A, 600V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWEP6-12 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWEP69-12 | LITTELFUSE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 123A, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWEP70-10 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 129A, 1000V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWEP75-06 | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 162A, 600V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWEP77-02 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 244A, 200V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWEP8-06 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWEP9-12 | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER |
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