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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | WAFER | 包装说明： | X-XUUC-N |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.40 | 风险等级： | 5.76 |
| Is Samacsys： | N | 应用： | FAST RECOVERY |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | X-XUUC-N |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 最大输出电流： | 12 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | UNSPECIFIED | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 1000 V | 最大反向恢复时间： | 0.035 µs |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| T-DWEP12-06 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 600V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWEP15-06 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 600V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWEP17-12 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWEP18-10 | LITTELFUSE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 1000V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWEP19-12 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWEP20-10 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 1000V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWEP23-06 | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 600V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWEP25-06 | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 600V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWEP27-02 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 54A, 200V V(RRM), Silicon, WAFER |
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| T-DWEP29-12 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER |
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