Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT W3C 115 N 12...18 (ISOPACK)
N
W3
Datenblatt gilt auch für TD W3H
Datasheet also applicable for TD W3H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Tvj = - 40°C...Tvj max
VDRM, VRRM
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
1200, 1400
1600, 1800
V
V
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Tvj = - 40°C...Tvj max
VDSM
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
1200, 1400
1600, 1800
V
V
non-repetitive peak forward off-state voltage
Tvj = + 25°C...T
VRSM
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
1300, 1500
1700, 1900
V
V
vj max
non-repetitive peak reverse voltage
ITRMSM
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)
RMS on-state current (per chip)
100
A
TC = 85°C
IRMS
Effektivstrom (pro Phase)
115
141
38
A
A
A
A
A
A
TC = 73°C
RMS current (per arm)
TA = 45°C, KM 11
TA = 45°C, KM 33
55
TA = 35°C, KM 14 (V = 45l/s)
97
L
TA = 35°C, KM 33 (V = 90l/s)
115
L
Tvj = 25°C, tp = 10ms
ITSM
Stoßstrom-Grenzwert
1000
870
A
A
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
surge current
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Grenzlastintegral
I²t
5000
3780
A²s
A²s
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
I²t-value
DIN IEC 747-6
(di/dt)cr
(dv/dt)cr
Kritische Stromsteilheit
120
A/µs
f = 50Hz, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs
critical rate of rise of on-state current
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
Kritische Spannungssteilheit
8. Kennbuchstabe / 8th letter F
critical rate of rise of off-state voltage
1000
V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Tvj = Tvj max, iT = 150A
vT
Durchlaßspannung
on-state voltage
max. 1,81
0,95
V
Tvj = Tvj max
V(T0)
Schleusenspannung
threshold voltage
V
Tvj =Tvj max
rT
Ersatzwiderstand
slope resistance
4,3
mΩ
mA
V
Tvj = 25°C, vD = 6V
Tvj = 25°C, vD = 6V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
Zündstrom
max.
max.
150
2,5
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Tvj = Tvj max, vD = 6V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
max.
max.
5,0
2,5
mA
mA
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
max.
max.
max.
max.
max.
0,2
200
600
10
V
Tvj = 25°C, vD = 6V, RA = 5Ω
Haltestrom
mA
mA
mA
µs
holding current
Tvj = 25°C, vD = 6V, RGK ≥ 20Ω
IL
Einraststrom
iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs, tg = 10µs
latching current
Tvj = Tvj max
iD, iR
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
vD = VDRM, vR = VRRM
DIN IEC 747-6
tgd
Zündverzug
1,2
Tvj = 25°C, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs
gate controlled delay time
MOD-E1; R. Jörke
09. Feb 99
A /99
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