Datasheet > TDB6HK104N16RR

TDB6HK104N16RR

更新时间： 2024-11-28 19:18:55

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅双极性晶体管栅极
页数	文件大小	规格书
13页	115K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1600V V(RRM), 3 Element

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TDB6HK104N16RR 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
针数：	22	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	配置：	3 PHASE BRIDGE, HALF-CONTROLLED CONVERTER, COMMON CATHODE
最大直流栅极触发电流：	150 mA	最大直流栅极触发电压：	2.5 V
最大维持电流：	200 mA	最大漏电流：	10 mA
通态非重复峰值电流：	650 A	元件数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
重复峰值反向电压：	1600 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

TDB6HK104N16RR 数据手册

Technische Information / Technical Information

Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT

Thyristor Module with Chopper-IGBT

TD B6HK 104 N 16 RR

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Gleichrichterdiode, -thyristor / Rectifierdiode, -thyristor

T_vj= - 40°C...T_{vj max}

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak reverse voltage

V_RRM

I_TRMSM

I_d

1600

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)

RMS on-state current (per chip)

T_C= 85°C

Ausgangsstrom

output current

104

T_vj= 25°C, t_p= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

650

550

T_vj= 25°C, t_p= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

Grenzlastintegral

I²t-value

I²t

2100

1500

A²s

DIN IEC 747-6

Kritische Stromsteilheit

critical rate of rise of on-state current

(di/dt)_cr

(dv/dt)_cr

120

A/µs

f = 50Hz, i_GM= 0,6A, di_G/dt = 0,6A/µs

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

Kritische Spannungssteilheit

8. Kennbuchstabe / 8th letter F

critical rate of rise of off-state voltage

1000

V/µs

IGBT

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

V_CES

1200

T_C= 80°C

t_p= 1ms

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

I_C

Periodischer Kollektor-Spitzenstrom

repetitive peak collektor current

I_CRM

100

300

± 20

T_C= 25°C

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

tot

Gate-Emitter Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

V_GE

Schnelle Diode / Fast diode

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak reverse voltage

V_RRM

1200

T_C= 80°C

t_p= 1ms

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

Periodischer Spitzenstrom

I_FRM

repetitive peak forward current

Modul

RMS, f = 50Hz, t = 1min

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

2,5

NTC connected to baseplate

prepared by: Ralf Jörke

approved by: Lothar Kleber

date of publication: 13.12.2000

revision: 1

BIP AM; R. Jörke

19. Dez 00

A 31/00

Seite/page 1(12)

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与TDB6HK104N16RR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TDB6HK104N16RROF	INFINEON	获取价格	Trigger Device
TDB6HK110N06KOF	ETC	获取价格	THYRISTOR MODULE\|3-PH FULL-WAVE\|HALF-CNTLD\|CC\|600V V(RRM)\|110A I(T)
TDB6HK110N08KOF	ETC	获取价格	THYRISTOR MODULE\|3-PH FULL-WAVE\|HALF-CNTLD\|CC\|800V V(RRM)\|110A I(T)
TDB6HK110N10KOF	ETC	获取价格	THYRISTOR MODULE\|3-PH FULL-WAVE\|HALF-CNTLD\|CC\|1KV V(RRM)\|110A I(T)
TDB6HK110N12KOF	ETC	获取价格	THYRISTOR MODULE\|3-PH FULL-WAVE\|HALF-CNTLD\|CC\|1.2KV V(RRM)\|110A I(T)
TDB6HK110N14KOF	ETC	获取价格	THYRISTOR MODULE\|3-PH FULL-WAVE\|HALF-CNTLD\|CC\|1.4KV V(RRM)\|110A I(T)
TDB6HK110N16KOF	ETC	获取价格	THYRISTOR MODULE\|3-PH FULL-WAVE\|HALF-CNTLD\|CC\|1.6KV V(RRM)\|110A I(T)
TDB6HK124N16RR	INFINEON	获取价格	eupec? EconoBRIDGE? - 1600V 半桥控制模块，采用制动斩波器和
TDB6HK124N16RRBOSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 70A I(T)RMS, 1600V V(RRM), 3 Element
TDB6HK124N16RROF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1600V V(RRM), 3 Element

与TDB6HK104N16RR相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

47
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

37
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

65
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

61

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TDB6HK104N16RR

TDB6HK104N16RR 技术参数

TDB6HK104N16RR 数据手册

与TDB6HK104N16RR相关器件

与TDB6HK104N16RR相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TDB6HK104N16RR

TDB6HK104N16RR 技术参数

TDB6HK104N16RR 数据手册

与TDB6HK104N16RR相关器件

与TDB6HK104N16RR相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？