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TDB6HK104N16RR

更新时间： 2024-02-26 05:47:22

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英飞凌 - INFINEON		局域网栅双极性晶体管栅极
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13页	115K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1600V V(RRM), 3 Element

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TDB6HK104N16RR 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
针数：	22	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	配置：	3 PHASE BRIDGE, HALF-CONTROLLED CONVERTER, COMMON CATHODE
最大直流栅极触发电流：	150 mA	最大直流栅极触发电压：	2.5 V
最大维持电流：	200 mA	最大漏电流：	10 mA
通态非重复峰值电流：	650 A	元件数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
重复峰值反向电压：	1600 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

TDB6HK104N16RR 数据手册

Technische Information / Technical Information

Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT

Thyristor Module with Chopper-IGBT

TD B6HK 104 N 16 RR

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Gleichrichterdiode, -thyristor / Rectifierdiode, -thyristor

T_vj= - 40°C...T_{vj max}

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak reverse voltage

V_RRM

I_TRMSM

I_d

1600

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)

RMS on-state current (per chip)

T_C= 85°C

Ausgangsstrom

output current

104

T_vj= 25°C, t_p= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

650

550

T_vj= 25°C, t_p= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

Grenzlastintegral

I²t-value

I²t

2100

1500

A²s

DIN IEC 747-6

Kritische Stromsteilheit

critical rate of rise of on-state current

(di/dt)_cr

(dv/dt)_cr

120

A/µs

f = 50Hz, i_GM= 0,6A, di_G/dt = 0,6A/µs

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

Kritische Spannungssteilheit

8. Kennbuchstabe / 8th letter F

critical rate of rise of off-state voltage

1000

V/µs

IGBT

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

V_CES

1200

T_C= 80°C

t_p= 1ms

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

I_C

Periodischer Kollektor-Spitzenstrom

repetitive peak collektor current

I_CRM

100

300

± 20

T_C= 25°C

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

tot

Gate-Emitter Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

V_GE

Schnelle Diode / Fast diode

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak reverse voltage

V_RRM

1200

T_C= 80°C

t_p= 1ms

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

Periodischer Spitzenstrom

I_FRM

repetitive peak forward current

Modul

RMS, f = 50Hz, t = 1min

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

2,5

NTC connected to baseplate

prepared by: Ralf Jörke

approved by: Lothar Kleber

date of publication: 13.12.2000

revision: 1

BIP AM; R. Jörke

19. Dez 00

A 31/00

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12 3 4 5 6 7...13

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