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TDB6HK110N12KOF

更新时间: 2024-01-11 12:32:08
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描述
THYRISTOR MODULE|3-PH FULL-WAVE|HALF-CNTLD|CC|1.2KV V(RRM)|110A I(T)

TDB6HK110N12KOF 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:ISOPACK-9
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.81
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:3 PHASE BRIDGE, HALF-CONTROLLED, COMMON CATHODE关态电压最小值的临界上升速率:1000 V/us
快速连接描述:2G螺丝端子的描述:3AK-2CA-CK
JESD-30 代码:R-PUFM-X9通态非重复峰值电流:870 A
元件数量:3端子数量:9
最大通态电流:110000 A最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:90 A断态重复峰值电压:1200 V
重复峰值反向电压:1200 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

TDB6HK110N12KOF 数据手册

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