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TDB6HK124N16RRBOSA1

更新时间： 2024-11-28 19:43:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网栅双极性晶体管栅极
页数 文件大小 规格书
13页 103K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 70A I(T)RMS, 1600V V(RRM), 3 Element

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TDB6HK124N16RRBOSA1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-P22
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.30.00.80Factory Lead Time：1 week
风险等级：2.22配置：3 PHASE BRIDGE, HALF-CONTROLLED WITH BUILT-IN IGBT
最大直流栅极触发电流：150 mAJESD-30 代码：R-XUFM-P22
元件数量：3端子数量：22
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：70 A
重复峰值反向电压：1600 V表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

TDB6HK124N16RRBOSA1 数据手册

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Technische Information / Technical Information  
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT  
Thyristor Module with Chopper-IGBT TD B6HK 124 N 16 RR  
N
B6  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
Gleichrichterdiode, -thyristor / Rectifierdiode, -thyristor  
Tvj = - 40°C...Tvj max  
Periodische Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
ITRMSM  
Id  
1600  
70  
V
A
A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)  
RMS on-state current (per chip)  
TC = 85°C  
Ausgangsstrom  
output current  
125  
Tvj = 25°C, tp = 10ms  
Tvj = Tvj max, tp = 10ms  
Stoßstrom-Grenzwert  
surge current  
ITSM  
650  
550  
A
A
Tvj = 25°C, tp = 10ms  
Tvj = Tvj max, tp = 10ms  
Grenzlastintegral  
I²t-value  
I²t  
2100  
1500  
A²s  
A²s  
DIN IEC 747-6  
Kritische Stromsteilheit  
critical rate of rise of on-state current  
(di/dt)cr  
(dv/dt)cr  
120  
A/µs  
f = 50Hz, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs  
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM  
Kritische Spannungssteilheit  
8. Kennbuchstabe / 8th letter F  
critical rate of rise of off-state voltage  
1000  
V/µs  
IGBT  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
VCES  
1200  
70  
V
A
A
W
V
TC = 80°C  
tp = 1ms  
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
IC  
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom  
repetitive peak collektor current  
ICRM  
150  
400  
± 20  
TC = 25°C  
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
P
tot  
Gate-Emitter Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
VGE  
Schnelle Diode / Fast diode  
Periodische Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
1200  
35  
V
A
A
TC = 80°C  
tp = 1ms  
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IF  
Periodischer Spitzenstrom  
IFRM  
70  
repetitive peak forward current  
Modul  
RMS, f = 50Hz, t = 1min  
Isolations-Prüfspannung  
insulation test voltage  
VISOL  
2,5  
kV  
NTC connected to baseplate  
prepared by: Ralf Jörke  
approved by: Lothar Kleber  
date of publication: 13.12.2000  
revision: 1  
BIP AM; R. Jörke  
19. Dez 00  
A 32/00  
Seite/page 1(12)  
1234567...13

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与TDB6HK124N16RRBOSA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TDB6HK124N16RROF INFINEON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1600V V(RRM), 3 Element
TDB6HK135N10KOF ETC

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 		THYRISTOR MODULE|3-PH FULL-WAVE|HALF-CNTLD|CC|1KV V(RRM)|135A I(T)
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 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
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