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TDB6HK180N16RRB11BOSA1

更新时间： 2024-10-02 19:37:03

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英飞凌 - INFINEON		栅
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Insulated Gate Bipolar Transistor,

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TDB6HK180N16RRB11BOSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	16 weeks	风险等级：	2.17
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

TDB6HK180N16RRB11BOSA1 数据手册

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Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

TDB6HK180N16RR_B11

Diode-Gleichrichter / diode-rectifier

Vorläufige Daten / preliminary data

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Periodische Rückw. Spitzensperrspannung

repetitive peak reverse voltage

TÝÎ = 25°C

Vçç¢

IŒç¢»¢

Iç¢»¢

IŒ»¢

1600

150

Durchlassstrom Grenzeffektivwert pro Dio.

T† = 80°C

forward current RMS maximum per diode

Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom

T† = 80°C

180

maximum RMS current at Rectifier output

Stoßstrom Grenzwert

surge forward current

tÔ = 10 ms, TÝÎ = 25°C

tÔ = 10 ms, TÝÎ = 150°C

1600

1400

Grenzlastintegral

I²t - value

tÔ = 10 ms, TÝÎ = 25°C

tÔ = 10 ms, TÝÎ = 150°C

13000

9500

A²s

I²t

Charakteristische Werte / characteristic values

Durchlassspannung

TÝÎ = 150°C, IŒ = 150 A

forward voltage

min. typ. max.

1,20

VŒ

VÅ¥

rÅ

Schleusenspannung

TÝÎ = 150°C

0,83

2,30

1,00

threshold voltage

Ersatzwiderstand

TÝÎ = 150°C

mÂ

slope resistance

Sperrstrom

TÝÎ = 150°C, Vç = 1600 V

reverse current

Iç

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

pro Diode

per diode

RÚÌœ†

RÚÌ†™

0,35 K/W

K/W

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

pro Diode / per diode

0,165

ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)

ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)

prepared by: Andreas Schulz

approved by: Matthias Leifeld

date of publication: 2007-06-29

revision: 2.0

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