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TDB6HK95N16LOF

更新时间： 2024-11-28 19:50:51

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Silicon Controlled Rectifier,

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TDB6HK95N16LOF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.71	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

TDB6HK95N16LOF 数据手册

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT B6C 95 N 16¹⁾(ISOPACK)

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

T_vj= - 40°C...T_{vj max}

T_vj= + 25°C...T_{vj max}

V_DRM, V_RRM

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

1600

1700

V_DSM

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

V_RSM

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

I_TRMSM

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)

RMS on-state current (per chip)

T_C= 85°C

T_C= 66°C

T_A= 45°C, KM 11

T_A= 45°C, KM 33

T_A= 35°C, KM 14 (V_L= 45l/s)

T_A= 35°C, KM 33 (V_L= 90l/s)

I_d

Ausgangsstrom

output current

130

101

115

T_vj= 25°C, t_p= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

I_TSM

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

720

620

T_vj= 25°C, t_p= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

Grenzlastintegral

I²t-value

I²t

2590

1920

A²s

(di/dt)_cr

(dv/dt)_cr

DIN IEC 747-6

f = 50Hz, i_GM= 0,6A, di_G/dt = 0,6A/µs

Kritische Stromsteilheit

critical rate of rise of on-state current

120

A/µs

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

Kritische Spannungssteilheit

8. Kennbuchstabe / 8th letter F

critical rate of rise of off-state voltage

1000

V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

T_vj= T_{vj max}, i_T= 100A

v_T

Durchlaßspannung

on-state voltage

max. 1,64

0,95

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj=T_{vj max}

r_T

Ersatzwiderstand

slope resistance

5,5

mΩ

T_vj= 25°C, v_D= 6V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

Zündstrom

gate trigger current

max. 150

Zündspannung

gate trigger voltage

max.

2,5

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

max.

5,0

2,5

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

max.

0,2

T_vj= 25°C, v_D= 6V, R_A= 5Ω

Haltestrom

holding current

max. 200

max. 600

T_vj= 25°C, v_D= 6V, R_GK≥ 20Ω

i_GM= 0,6A, di_G/dt = 0,6A/µs, t_g= 10µs

I_L

Einraststrom

latching current

T_vj= T_{vj max}

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

i_D, i_R

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse currents

max.

1) gilt auch für / also valid for TD B6HK95N16

BIP PPE4 rev. 2

19. Okt 05

A 05/05

Seite/page 1(6)

12 3 4 5 6 7

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TDB7711	STMICROELECTRONICS	获取价格	SUBSCRIBER LINE INTERFACE CIRCUIT KIT
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TDB7722	STMICROELECTRONICS	获取价格	SUBSCRIBER LINE INTERFACE CIRCUIT KIT
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TDB9	ADAM-TECH	获取价格	Barrier Strip Terminal Block, 20A, 1 Deck(s)
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