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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP8,.3 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.82 | 内置保护： | OVER CURRENT; UNDER VOLTAGE |
| 接口集成电路类型： | HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRIVER | JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码： | e3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 输出电流流向： | SOURCE AND SINK |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP8,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 16 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | MOSFET Drivers | 最大供电电压： | 26 V |
| 标称供电电压： | 16 V | 表面贴装： | NO |
| 温度等级： | AUTOMOTIVE | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 断开时间： | 0.4 µs | 接通时间： | 2.2 µs |
| 宽度： | 7.62 mm |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| TD351IN | STMICROELECTRONICS |
完全替代  |
Advanced IGBT/MOSFET Driver |
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| TD351ID | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
Advanced IGBT/MOSFET Driver |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TD351IN | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Advanced IGBT/MOSFET Driver |
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| TD352 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Advanced IGBT/MOSFET Driver |
|
| TD352_11 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Advanced IGBT/MOSFET driver |
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| TD352ID | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Advanced IGBT/MOSFET Driver |
|
| TD352IDT | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Advanced IGBT/MOSFET Driver |
|
| TD352IN | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Advanced IGBT/MOSFET Driver |
|
| TD-36.000MBD-T | ETC |
获取价格 |
OSC MEMS 36.000MHZ CMOS SMD |
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| TD-36.000MBE-T | ETC |
获取价格 |
OSC MEMS 36.000MHZ CMOS SMD |
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| TD-36.000MCD-T | ETC |
获取价格 |
OSC MEMS 36.000MHZ CMOS SMD |
|
| TD-36.000MCE-T | ETC |
获取价格 |
OSC MEMS 36.000MHZ CMOS SMD |
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