是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | CERDIP-28 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.61 | 风险等级: | 5.78 |
最长访问时间: | 200 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 37.15 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | UVPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | WDIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE, WINDOW |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 12.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.72 mm |
子类别: | EPROMs | 最大压摆率: | 0.125 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | NMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TD27256-25 | ROCHESTER |
获取价格 |
UVPROM, 32KX8, 250ns, CMOS, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-28 | |
TD27256-3 | INTEL |
获取价格 |
UVPROM, 32KX8, 300ns, MOS, CDIP28, | |
TD27256-30 | INTEL |
获取价格 |
UVPROM, 32KX8, 300ns, MOS, CDIP28, | |
TD27256-4 | INTEL |
获取价格 |
UVPROM, 32KX8, 450ns, MOS, CDIP28, | |
TD27256-45 | INTEL |
获取价格 |
UVPROM, 32KX8, 450ns, MOS, CDIP28, | |
TD27256L2 | INTEL |
获取价格 |
UVPROM, 32KX8, 200ns, MOS, CDIP28 | |
TD27256L20 | INTEL |
获取价格 |
UVPROM, 32KX8, 200ns, MOS, CDIP28 | |
TD2732A | ROCHESTER |
获取价格 |
UVPROM, 4KX8, 250ns, HMOS, CDIP24, CERAMIC, DIP-24 | |
TD2732A-2 | INTEL |
获取价格 |
UVPROM, 4KX8, 250ns, HMOS, CDIP24, CERAMIC, DIP-24 | |
TD2732A-25 | INTEL |
获取价格 |
UVPROM, 4KX8, 250ns, HMOS, CDIP24, CERAMIC, DIP-24 |