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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | WINDOWED, CERDIP-32 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.61 | 风险等级： | 5.53 |
| 最长访问时间： | 150 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T32 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 42.165 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | UVPROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 128KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | WDIP | 封装等效代码： | DIP32,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE, WINDOW |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.72 mm | 最大待机电流： | 0.0001 A |
| 子类别： | EPROMs | 最大压摆率： | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| TMS27C010A-150JE | TI |
功能相似  |
PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIES |
|
| TMS27C010A-15JE | TI |
功能相似 |
1 048 576-Bit Programmable Read-Only Memory 32-CDIP -40 to 85 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TD27C010-200V10 | INTEL |
获取价格 |
UVPROM, 128KX8, 200ns, CMOS, CDIP32 |
|
| TD27C011-200V10 | INTEL |
获取价格 |
UVPROM, 128KX8, 200ns, CMOS, CDIP28, CERDIP-28 |
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| TD27C128-150V05 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
|
| TD27C128-170V05 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
|
| TD27C128-170V10 | INTEL |
获取价格 |
Memory IC |
|
| TD27C128-200V05 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
|
| TD27C128-200V10 | INTEL |
获取价格 |
Memory IC, |
|
| TD27C128-250V05 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
|
| TD27C128-250V10 | INTEL |
获取价格 |
Memory IC |
|
| TD27C203C55V10 | INTEL |
获取价格 |
Memory IC |
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