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TD27C513-200V10Q

更新时间: 2024-01-23 08:51:24
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 双倍数据速率可编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
15页 912K
描述
PAGE-ADDRESSED 512K (4 x 16K x 8) UV ERASABLE PROM

TD27C513-200V10Q 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:WDIP, DIP28,.6针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.61风险等级:5.49
最长访问时间:200 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-GDIP-T28JESD-609代码:e0
长度:37.15 mm内存密度:524288 bit
内存集成电路类型:UVPROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:64KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:WDIP封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE, WINDOW
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.72 mm最大待机电流:0.001 A
子类别:EPROMs最大压摆率:0.05 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

TD27C513-200V10Q 数据手册

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