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TC7WZ126FU(TE12L,F) PDF预览

TC7WZ126FU(TE12L,F)

更新时间： 2024-11-06 19:57:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 驱动光电二极管逻辑集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 195K
描述
IC,BUFFER/DRIVER,SINGLE,2-BIT,LCX/LVC-CMOS,TSSOP,8PIN,PLASTIC

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TC7WZ126FU(TE12L,F) 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：TSSOP, TSSOP8,.16Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.79控制类型：ENABLE HIGH
JESD-30 代码：R-PDSO-G8负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：BUS DRIVER最大I（ol）：0.024 A
位数：2功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C输出特性：3-STATE
输出极性：TRUE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP8,.16
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法：TAPE AND REEL电源：3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：6 ns认证状态：Not Qualified
子类别：Bus Driver/Transceivers标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.635 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

TC7WZ126FU(TE12L,F) 数据手册

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TC7WZ126FU/FK  
TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic  
TC7WZ126FU,TC7WZ126FK  
Dual Bus Buffer with 3-STATE Output  
TC7WZ126FU  
Features  
•
•
High output current  
: ±24 mA (min) at V  
= 3 V  
CC  
Super high speed operation : t = 2.6 ns (typ.)  
pd  
at V  
= 5 V, 50 pF  
CC  
•
•
•
•
Operating voltage range  
5.5-V tolerant inputs  
: V  
= 1.65 to 5.5 V  
CC (opr)  
(SM8)  
5.5-V power down protection output  
Matches the performance of TC74LCX series when operated at  
TC7WZ126FK  
3.3-V V  
.
CC  
Marking  
SM8  
US8  
(US8)  
Type Name  
Lot No.  
Z 126  
WZ  
126  
Weight  
SSOP8-P-0.65 : 0.02 g (typ.)  
SSOP8-P-0.50A : 0.01 g (typ.)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Pin Assignments (top view)  
Characteristics  
Power suply voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
G1  
A1  
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC  
V
−0.5 to 6  
V
V
CC  
DC input voltage  
V
−0.5 to 6  
G2  
Y1  
A2  
IN  
−0.5 to 6 (Note1)  
Y2  
DC output voltage  
V
V
OUT  
−0.5 to Vcc +0.5 V (Note 2)  
GND  
Input diode current  
Output diode current  
DC output current  
I
−20  
−20 (Note 3)  
±50  
mA  
mA  
mA  
mA  
IK  
I
OK  
I
OUT  
DC V /ground current  
CC  
I
±100  
CC  
300 (SM8)  
200 (US8)  
Power dissipation  
P
mW  
D
Storage temperature  
T
−65 to 150  
°C  
°C  
stg  
Lead temperature (10s)  
T
260  
L
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if  
the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings and the operating ranges.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report  
and estimated failure rate, etc).  
Note 1: VCC = 0V  
Note 2: High or Low state. Do not exceed IOUT of absolute maximum ratings.  
Note 3: VOUT < GND  
1
2009-10-19  
1234567

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