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Datasheet > 逻辑 > 总线驱动器/收发器> TC7WZ245FU
TC7WZ245FU PDF预览

TC7WZ245FU

更新时间： 2024-11-05 03:15:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 总线驱动器总线收发器逻辑集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 170K
描述
CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic Dual Bus Transceiver

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TC7WZ245FU 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：End Of Life
零件包装代码：SOIC包装说明：0.65 MM PITCH, PLASTIC, SSOP-8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.64
Is Samacsys：N控制类型：COMMON CONTROL
计数方向：BIDIRECTIONAL系列：LVC/LCX/Z
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
长度：2.9 mm逻辑集成电路类型：BUS TRANSCEIVER
最大I（ol）：0.024 A位数：2
功能数量：1端口数量：2
端子数量：8最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C输出特性：3-STATE
输出极性：TRUE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LSSOP封装等效代码：TSSOP8,.16
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
电源：3.3 VProp。Delay @ Nom-Sup：7 ns
传播延迟（tpd）：16.5 ns认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.3 mm子类别：Bus Driver/Transceivers
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
翻译：N/A宽度：2.8 mm
Base Number Matches：1

TC7WZ245FU 数据手册

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TC7WZ245FU/FK  
TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic  
TC7WZ245FU,TC7WZ245FK  
Dual Bus Transceiver  
Features  
•
•
High output drive  
: ±24 mA (min) at  
V
= 3 V  
CC  
TC7WZ245FU  
Super high speed operation : t = 5.0 ns(max)  
pd  
at  
V
CC  
= 5 V, 50 pF  
•
•
•
•
Operation voltage range : V  
5.5-V tolerant inputs  
= 1.65~5.5 V  
CC (opr)  
5.5-V power down protection outputs  
Matches the performance of TC74LCX series when operated at  
3.3-V V  
CC  
TC7WZ245FK  
Note : Do not apply a signal to any pins when it is the output  
mode. Damage may result.  
All floating (high impedance) bus pins must have their input  
levels fixed by means of pull-up or pull-down resistors.  
Marking  
SM8  
US8  
Type name  
Lot No.  
Z 245  
WZ  
245  
Weight  
SSOP8-P-0.65 : 0.02 g (typ.)  
SSOP8-P-0.50A : 0.01 g (typ.)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Pin Assignment (top view)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Supply voltage range  
DC input voltage  
V
−0.5~6  
−0.5~6  
−0.5~6  
−20  
V
CC  
VCC  
G
DIR  
A1  
1
2
3
4
8
V
V
IN  
7
6
DC output voltage  
Input diode current  
Output diode current  
DC output current  
V
V
OUT  
B1  
B2  
A2  
I
mA  
mA  
mA  
mA  
IK  
I
−20  
GND  
OK  
5
I
±50  
OUT  
DC V /ground current  
CC  
I
±50  
CC  
300 (SM8)  
200 (US8)  
Power dissipation  
P
mW  
D
Storage temperature  
T
−65~150  
°C  
°C  
stg  
Lead temperature (10 s)  
T
260  
L
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings and the operating ranges.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
2007-11-01  
1
1234567

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