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Datasheet > 逻辑 > 总线驱动器/收发器> TC7WZ246FU
TC7WZ246FU PDF预览

TC7WZ246FU

更新时间： 2024-01-06 19:54:00
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
8页 179K
描述
CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic Dual Bus Transceiver Buffer And Buffer (Open Drain Outputs)

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TC7WZ246FU 技术参数

生命周期：Lifetime Buy零件包装代码：SOIC
包装说明：LSSOP, TSSOP8,.16针数：8
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.73控制类型：COMMON CONTROL
计数方向：BIDIRECTIONAL系列：LVC/LCX/Z
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
长度：2.9 mm负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：BUS TRANSCEIVER最大I（ol）：0.024 A
位数：2功能数量：1
端口数量：2端子数量：8
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
输出特性：OPEN-DRAIN输出极性：TRUE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LSSOP
封装等效代码：TSSOP8,.16封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH电源：3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：7 ns传播延迟（tpd）：18.5 ns
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.3 mm
子类别：Bus Driver/Transceivers最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：1.65 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL翻译：N/A
宽度：2.8 mm

TC7WZ246FU 数据手册

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TC7WZ246FU/FK  
TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic  
TC7WZ246FU,TC7WZ246FK  
Dual Bus Transceiver  
Buffer And Buffer (Open Drain Outputs)  
Features  
•
•
High output drive  
: ±24 mA (min) at  
V
= 3 V  
CC  
Super high speed operation : t = 5.0 ns(max)  
TC7WZ246FU  
pd  
at V  
= 5 V, 50 pF  
CC  
•
•
•
•
Operation voltage range : V  
5.5-V tolerant inputs  
= 1.65~5.5 V  
CC (opr)  
5.5-V power down protection outputs  
Matches the performance of TC74LCX series when operated at  
3.3-V V  
CC  
Note : Do not apply a signal to any bus pins when it is in the  
output mode. Damage may result.  
TC7WZ246FK  
Marking  
SM8  
US8  
Type name  
Lot No.  
Z 246  
WZ  
246  
Weight  
SSOP8-P-0.65 : 0.02 g (typ.)  
SSOP8-P-0.50A : 0.01 g (typ.)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Pin Assignment (top view)  
Characteristics  
Supply voltage range  
Symbol  
Rating  
Unit  
SC  
1
Control Circuit  
8
VCC  
V
−0.5~6  
−0.5~6  
V
CC  
A1  
A2  
2
3
7
6
SD  
B1  
DC input voltage  
V
V
IN  
DC output voltage  
Input diode current  
Output diode current  
DC output current  
V
−0.5~6  
V
OUT  
I
−20  
mA  
mA  
mA  
mA  
IK  
GND  
4
5
B2  
I
−20  
OK  
I
±50, +50(Note 1)  
±50  
OUT  
Open Drain Buffer  
Buffer  
DC V /ground current  
CC  
I
CC  
300 (SM8)  
200 (US8)  
Power dissipation  
P
mW  
D
Storage temperature  
T
−65~150  
°C  
°C  
stg  
Lead temperature (10 s)  
T
260  
L
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings and the operating ranges.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Note 1 : Open Drain Buffer Output diode current.  
2007-11-01  
1
12345678

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