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TC7S00FU(TE85L,F)

更新时间： 2024-11-06 14:36:23
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 栅输入元件光电二极管逻辑集成电路触发器
页数 文件大小 规格书
7页 205K
描述
IC HC/UH SERIES, 2-INPUT NAND GATE, PDSO5, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, SSOP-5, Gate

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TC7S00FU(TE85L,F) 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SSOP
包装说明：TSSOP, TSSOP5/6,.08针数：5
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.1系列：HC/UH
JESD-30 代码：R-PDSO-G5JESD-609代码：e4
长度：2 mm负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：NAND GATE最大I（ol）：0.002 A
功能数量：1输入次数：2
端子数量：5最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP5/6,.08
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法：TAPE AND REEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：2/6 VProp。Delay @ Nom-Sup：125 ns
传播延迟（tpd）：125 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO座面最大高度：1.1 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：6 V
最小供电电压 (Vsup)：2 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
宽度：1.25 mmBase Number Matches：1

TC7S00FU(TE85L,F) 数据手册

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TC7S00F/FU  
TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic  
TC7S00F, TC7S00FU  
2-Input NAND Gate  
Features  
TC7S00F  
•
•
•
•
•
•
•
High Speed  
: t  
: I  
7ns (Typ.) at V  
= 5 V  
pd =  
CC  
Low power dissipation  
High noise immunity  
Output drive capability  
= 1 μA (Max) at Ta = 25°C  
CC  
: V  
= V  
= 28% V  
(min)  
NIH  
NIL  
CC  
: 5 LSTTL Loads  
Symmetrical Output Impedance : |I | = I = 2mA (min)  
OH  
OL  
Balanced propagation delays : t  
≒ t  
pHL  
pLH  
Wide operating voltage range : V  
= 2 to 6 V  
CC  
(SMV)  
TC7S00FU  
Marking  
Product name  
E 1  
(USV)  
Weight  
SSOP5-P-0.95  
SSOP5-P-0.65A  
: 0.016 g (Typ.)  
: 0.006 g (Typ.)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Supply voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
Pin Assignment (top view)  
V
−0.5 to 7.0  
V
V
CC  
DC input voltage  
V
−0.5 to V  
+ 0.5  
IN  
CC  
CC  
DC output voltage  
Input diode current  
Output diode current  
DC output current  
V
−0.5 to V  
+ 0.5  
V
IN B  
IN A  
GND  
1
2
3
5
V
CC  
OUT  
I
±20  
mA  
mA  
mA  
mA  
mW  
°C  
IK  
I
±20  
±12.5  
±25  
OK  
I
OUT  
DC V /ground current  
CC  
I
CC  
4
OUT Y  
Power dissipation  
P
200  
D
Storage temperature  
Lead temperature (10 s)  
T
stg  
−65 to 150  
T
L
260  
°C  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if  
the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings and the operating ranges.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report  
and estimated failure rate, etc).  
1
2009-08-03  
1234567

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TC7S00FU(TE85L,F) 替代型号

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