5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > TC58DVM92A1TG00
TC58DVM92A1TG00 PDF预览

TC58DVM92A1TG00

更新时间： 2024-11-11 21:17:19
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
45页 384K
描述
TC58DVM92A1TG00

阅读下载

中文翻译

获取价格

TC58DVM92A1TG00 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：TSSOP, TSSOP48,.8,20Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.8最长访问时间：35 ns
命令用户界面：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PDSO-G48内存密度：536870912 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
部门数/规模：4K端子数量：48
字数：67108864 words字数代码：64000000
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：64MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP48,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小：512 words并行/串行：PARALLEL
电源：3/3.3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES部门规模：16K
最大待机电流：0.00005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.03 mA表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL切换位：NO
Base Number Matches：1

TC58DVM92A1TG00 数据手册

 浏览型号TC58DVM92A1TG00的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TC58DVM92A1TG00的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TC58DVM92A1TG00的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TC58DVM92A1TG00的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TC58DVM92A1TG00的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TC58DVM92A1TG00的Datasheet PDF文件第7页 
TC58DVM92A1TG00  
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS  
2
512-MBIT (64M × 8 BITS) CMOS NAND E PROM  
Lead-Free  
DESCRIPTION  
The device is a single 3.3 V 512Mbit (553,648,128) bit NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only  
2
Memory (NAND E PROM) organized as 528 bytes × 32 pages × 4096 blocks. The device has a 528-byte static  
register which allows program and read data to be transferred between the register and the memory cell array in  
528-byte increments. The Erase operation is implemented in a single block unit (16 Kbytes + 512 bytes: 528 bytes ×  
32 pages).  
The device is a serial-type memory device which utilizes the I/O pins for both address and data input/output as  
well as for command inputs. The Erase and Program operations are automatically executed making the device most  
suitable for applications such as solid-state file storage, voice recording, image file memory for still cameras and  
other systems which require high-density non-volatile memory data storage.  
FEATURES  
•
Organization  
Memory cell allay 528 × 128K × 8  
Register  
•
•
•
Power supply  
Program/Erase Cycles 1E5 cycle (with ECC)  
Access time  
V
= 2.7 V to 3.6 V  
CC  
528 × 8  
Page size  
Block size  
Modes  
Read, Reset, Auto Page Program,  
Auto Block Erase, Status Read,  
Multi Block Program, Multi Block Erase  
Mode control  
528 bytes  
(16K + 512) bytes  
Cell array to register 25 µs max  
Serial Read Cycle  
Operating current  
Read (50 ns cycle)  
Program (avg.)  
Erase (avg.)  
50 ns min  
•
•
•
10 mA typ.  
10 mA typ.  
10 mA typ.  
50 µA max.  
Standby  
Serial input/output  
Command control  
•
•
Package  
TSOPI48-P-1220-0.50 (Weight: 0.53g typ.)  
Lead-Free  
PIN ASSIGNMENT (TOP VIEW)  
PIN NAMES  
NC  
NC  
1
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
NC  
I/O1 to I/O8  
CE  
I/O port  
2
NC  
NC  
3
NC  
NC  
Chip enable  
NC  
NC  
4
5
I/O8  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
NC  
WE  
Write enable  
Read enable  
Command latch enable  
Address latch enable  
Write protect  
Ready/Busy  
GND  
RY/BY  
RE  
6
7
RE  
8
CLE  
CE  
9
NC  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
NC  
NC  
ALE  
NC  
V
V
V
CC  
SS  
CC  
SS  
WP  
V
NC  
NC  
NC  
RY/BY  
GND  
NC  
NC  
CLE  
ALE  
WE  
WP  
NC  
Ground input  
Power supply  
Ground  
I/O4  
I/O3  
I/O2  
I/O1  
NC  
V
CC  
V
SS  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
1
2003-10-28  
1234567...45

中文翻译

下载PDF

与TC58DVM92A1TG00相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TC58DVM92A3BAJW TOSHIBA

获取价格

 		TC58DVM92A3BAJW
TC58DVM92A3TA00 TOSHIBA

获取价格

 		IC EEPROM 3V, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.5 MM PITCH, PLASTIC, TSOPI-48, Programmable ROM
TC58DVM92A5BAJ3 TOSHIBA

获取价格

 		IC 64M X 8 FLASH 3.3V PROM, PBGA63, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-63, Programma
TC58DVM92A5TA00 TOSHIBA

获取价格

 		IC 64M X 8 EEPROM 3V, 40 ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48, Program
TC58DYG02D5BAI4 TOSHIBA

获取价格

 		NAND Flash Memory(SLC Middle Capacity)
TC58DYG02D5BAI6 TOSHIBA

获取价格

 		NAND Flash Memory(SLC Middle Capacity)
TC58F010F-10 TOSHIBA

获取价格

 		IC 128K X 8 FLASH 12V PROM, 100 ns, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32, Programmable ROM
TC58F010F-12 TOSHIBA

获取价格

 		IC 128K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32, Programmable ROM
TC58F010FT-10 TOSHIBA

获取价格

 		IC 128K X 8 FLASH 12V PROM, 100 ns, PDSO32, 8 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP-32, Pr
TC58F010FT-12 TOSHIBA

获取价格

 		IC 128K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PDSO32, 8 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP-32, Pr

与TC58DVM92A1TG00相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证