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TC58F010T-10

更新时间: 2024-11-11 18:31:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 可编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 469K
描述
IC 128K X 8 FLASH 12V PROM, 100 ns, PQCC32, 0.450 INCH, PLASTIC, QFJ-32, Programmable ROM

TC58F010T-10 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:QFJ
包装说明:QCCJ,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.85
最长访问时间:100 ns其他特性:BULK ERASE; 10K ERASE/WRITE CYCLES MIN.
JESD-30 代码:R-PQCC-J32JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:QCCJ
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):240
编程电压:12 V认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:J BEND
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
类型:NOR TYPEBase Number Matches:1

TC58F010T-10 数据手册

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