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TC58F010TR-12

更新时间: 2024-11-12 05:56:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 469K
描述
IC 128K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PDSO32, 8 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP-32, Programmable ROM

TC58F010TR-12 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:TSOP
包装说明:TSOP1-R,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.65
最长访问时间:120 ns其他特性:BULK ERASE; 10K ERASE/WRITE CYCLES MIN.
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e0
长度:18.4 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1-R封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):240编程电压:12 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED类型:NOR TYPE
宽度:7.9 mmBase Number Matches:1

TC58F010TR-12 数据手册

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