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TC51WHM516BXGN70 PDF预览

TC51WHM516BXGN70

更新时间： 2024-02-26 23:21:37
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
10页 281K
描述
IC 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TFBGA-48, Static RAM

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TC51WHM516BXGN70 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA, BGA48,6X8,30针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.8
Base Number Matches：1

TC51WHM516BXGN70 数据手册

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TC51WHM516BXGN70  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (See Note 1)  
SYMBOL  
RATING  
VALUE  
UNIT  
V
V
V
Power Supply Voltage  
Input Voltage  
−1.0 to 3.6  
−1.0 to 3.6  
−1.0 to 3.6  
−25 to 85  
−55 to 150  
260  
V
V
DD  
IN  
Output Voltage  
V
OUT  
opr.  
T
T
T
Operating Temperature  
Storage Temperature  
°C  
°C  
°C  
W
mA  
strg.  
solder  
Soldering Temperature (10 s)  
Power Dissipation  
P
0.6  
D
I
Short Circuit Output Current  
50  
OUT  
DC RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS (Ta = −25°C to 85°C)  
SYMBOL  
PARAMETER  
Power Supply Voltage  
MIN  
TYP.  
MAX  
3.3  
UNIT  
V
V
V
V
2.6  
2.0  
2.75  
⎯
DD  
Input High Voltage  
Input Low Voltage  
V
+ 0.3*  
IH  
IL  
DD  
−0.3*  
⎯
0.4  
* : V (Max) V +1.0 V with 10 ns pulse width  
IH DD  
V (Min) -1.0 V with 10 ns pulse width  
IL  
DC CHARACTERISTICS (Ta = −25°C to 85°C, V = 2.6 to 3.3 V) (See Note 3 to 4)  
DD  
SYMBOL  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
MIN  
TYP. MAX  
UNIT  
I
Input Leakage Current  
Output Leakage Current  
Output High Voltage  
Output Low Voltage  
V
= 0 V to V  
DD  
−1.0  
−1.0  
2.0  
⎯
⎯
⎯
⎯
+1.0  
+1.0  
⎯
μA  
μA  
V
IL  
IN  
I
Output disable, V  
= 0 V to V  
OUT DD  
LO  
V
V
I
I
= − 0.5 mA  
= 1.0 mA  
OH  
OL  
OH  
⎯
0.4  
V
OL  
CE1 = V  
IL  
CE2 = V , I  
I
I
Operating Current  
t
= min  
= min  
⎯
⎯
⎯
⎯
40  
25  
mA  
mA  
DDO1  
RC  
= 0 mA  
IH OUT  
CE1 = V , CE2 = V  
IL  
Page add. cycling, I  
,
IH  
Page Access Operating Current  
Standby Current(MOS)  
t
DDO2  
PC  
= 0 mA  
OUT  
I
I
CE1 = V  
− 0.2 V, CE2 = V  
− 0.2 V  
⎯
⎯
⎯
⎯
100  
5
μA  
μA  
DDS  
DD  
DD  
Deep Power-down Standby Current CE2 = 0.2 V  
DDSD  
CAPACITANCE (Ta = 25°C, f = 1 MHz)  
SYMBOL  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
= GND  
MAX  
UNIT  
C
C
Input Capacitance  
Output Capacitance  
V
IN  
10  
10  
pF  
pF  
IN  
V
OUT  
= GND  
OUT  
Note: This parameter is sampled periodically and is not 100% tested.  
2006-02-27 3/10  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TC51WHM616AXBN65 TOSHIBA

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 		TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
TC51WHM616AXBN70 TOSHIBA

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 		TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
TC51WHM616AXGN65 TOSHIBA

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 		TC51WHM616AXGN65
TC51WHM616AXGN70 TOSHIBA

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 		IC 4M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA48, 8 X 11 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC,
TC51WHM616BXGN70 TOSHIBA

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 		IC 4M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA48, 8 X 11 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC,
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 		2,097,152-WORD BY 16-BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM
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 		IC 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 65 ns, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-48, S
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 		IC 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-48, S
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