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TC2320TG-G PDF预览

TC2320TG-G

更新时间： 2024-11-07 03:28:47
品牌 Logo 应用领域
超科 - SUPERTEX 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
4页 481K
描述
N- and P-Channel Enhancement-Mode Dual MOSFET

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TC2320TG-G 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.35Is Samacsys：N
其他特性：LOW THRESHOLD配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏源导通电阻：7 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：23 pF
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TC2320TG-G 数据手册

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TC2320  
N- and P-Channel Enhancement-Mode Dual MOSFET  
Features  
General Description  
The Supertex TC2320TG consists of a high voltage, low  
threshold N- and P-channel MOSFET in an SO-8 package.  
These low threshold enhancement-mode (normally-off)  
transistors utilize an advanced vertical DMOS structure  
and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing  
process. This combination produces devices with the  
power handling capabilities of bipolar transistors and  
with the high input impedance and positive temperature  
coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of  
all MOS structures, these devices are free from thermal  
runaway and thermally-induced secondary breakdown.  
► Low threshold  
► Low on resistance  
► Low input capacitance  
► Fast switching speeds  
► Freedom from secondary breakdown  
► Low input and output leakage  
► Independent, electrically isolated N- and P-  
channels  
Applications  
► Medical ultrasound transmitters  
► High voltage pulsers  
► Amplifiers  
Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a  
wide range of switching and amplifying applications where  
very low threshold voltage, high breakdown voltage, high  
input impedance, low input capacitance, and fast switching  
speeds are desired.  
► Buffers  
► Piezoelectric transducer drivers  
► General purpose line drivers  
► Logic level interface  
Ordering Information  
RDS(ON)  
BVDSS/BVDGS  
Package Options  
Device  
(max)  
(V)  
(Ω)  
8-Lead SOIC (Narrow Body)  
N-Channel  
P-Channel  
N-Channel  
P-Channel  
TC2320  
TC2320TG-G  
200  
-200  
7.0  
12  
-G indicates package is RoHS compliant (‘Green’)  
Pin Configuration  
DRAIN_P  
DRAIN_P  
DRAIN_N  
DRAIN_N  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
GATE_P  
SOURCE_P  
GATE_N  
SOURCE_N  
Value  
BVDSS  
Drain to source voltage  
Drain to gate voltage  
BVDGS  
8-Lead SOIC (TG)  
Gate to source voltage  
20V  
Product Marking  
Operating and storage temperature  
-55°C to +150°C  
YY = Year Sealed  
WW = Week Sealed  
L = Lot Number  
YYWW  
Soldering temperature*  
+300°C  
C2320  
Absolute Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device  
may occur. Functional operation under these conditions is not implied. Continuous  
operation of the device at the absolute rating level may affect device reliability. All  
voltages are referenced to device ground.  
LLLL  
= “Green” Packaging  
8-Lead SOIC (TG)  
* Distance of 1.6mm from case for 10 seconds.  
1234

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TC2320TG-G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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