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TBN6501U

更新时间： 2024-09-15 03:28:55

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韩国光电子 - AUK		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	198K
描述
Si NPN Transistor

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TBN6501U 数据手册

TBN6501U

Semiconductor

Si NPN Transistor

Unit in mm

SOT-323

□ Applications

2.1±0.1

1.25±0.05

- Broadband amplifier application under 1GHz

- SAW filter driver in TV tuners

□ Features

- Gain bandwidth product

f_T= 1.1 GHz at V_CE= 3 V, I_C= 20 mA

f_T= 1.5 GHz at V_CE= 5 V, I_C= 30 mA

- Power gain

|S₂₁|²= 3.0 dB at V_CE= 3 V, I_C= 10 mA, f = 1 GHz

- Noise figure

0.1 Min.

NF = 1.8 dB at V_CE= 3 V, I_C= 10 mA, f = 1 GHz

Pin Configuration

1. Base

2. Emitter

3. Collector

□ Absolute Maximum Ratings (T_A= 25 ℃)

Parameter

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Symbol

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_C

Ratings

Unit

100

℃

Total Power Dissipation

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

P_tot

200

150

T_j

T_stg

-65 ~ 150

℃

Caution : Electro Static Discharge sensitive device

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TBN6501USD1	KODENSHI	获取价格	Transistor,
TBN6501USD2	KODENSHI	获取价格	Transistor,
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TBN-XX-01-B	ADAM-TECH	获取价格	300V
TBN-XX-01-B-CC	ADAM-TECH	获取价格	300V
TBN-XX-01D-B	ADAM-TECH	获取价格	300V
TBN-XX-01-M	ADAM-TECH	获取价格	300V
TBN-XX-01-M-WB	ADAM-TECH	获取价格	300V
TBN-XX-03-B	ADAM-TECH	获取价格	300V
TBN-XX-03-B-CC	ADAM-TECH	获取价格	300V