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T709N2200TOC

更新时间: 2024-09-15 19:36:19
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威世 - VISHAY 栅极
页数 文件大小 规格书
4页 591K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 700000mA I(T), 2200V V(DRM),

T709N2200TOC 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.23标称电路换相断开时间:300 µs
关态电压最小值的临界上升速率:500 V/us最大直流栅极触发电流:300 mA
最大直流栅极触发电压:1.5 V最大维持电流:600 mA
最大漏电流:100 mA通态非重复峰值电流:13000 A
最大通态电流:700000 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C断态重复峰值电压:2200 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

T709N2200TOC 数据手册

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