Datasheet > T599F12TEL

T599F12TEL

更新时间： 2024-11-13 19:17:59

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
6页	80K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 600000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

T599F12TEL 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.63
关态电压最小值的临界上升速率：	500 V/us	最大直流栅极触发电流：	250 mA
最大直流栅极触发电压：	2.2 V	通态非重复峰值电流：	10000 A
最大通态电流：	600000 A	最高工作温度：	125 °C
断态重复峰值电压：	1200 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

T599F12TEL 数据手册

Technische Information / Technical Information

Schneller Thyristor

Fast Thyristor

T 599 F 12...13

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

T_vj= - 40°C...T_{vj max}

T_vj= + 25°C...T_{vj max}

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

V_DRM, V_RRM

1200

1300

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

V_DSM

1200

1300

non-repetitive peak foward off-state voltage

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

V_RSM

1300

1400

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

RMSM on-state current

I_TRSMSM

1500

T_C= 85 °C

T_C= 47 °C

Dauergrenzstrom

I_TAVM

599

960

average on-state current

T_vj= 25°C, tp = 10 ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 10 ms

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

11.300

10.000

A²s*10³

T_vj= 25°C, tp = 10ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 10ms

Grenzlastintegral

I²t-value

I²t

638

500

Kritische Stromsteilheit

DIN IEC 747-6

f=50 Hz, i_GM= 1 A

di_G/dt = 1 A/µs

(di_T/dt)_cr

200

A/µs

critical rate of rise of on-state current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

Kritische Spannungssteilheit

(dv_D/dt)_cr

critical rate of rise of off-state voltage

5. Kennbuchstabe / 5th letter B

5. Kennbuchstabe / 5th letter C

5. Kennbuchstabe / 5th letter L

5. Kennbuchstabe / 5th letter M

V/µs

500

1000

500 V/µs

50 V/µs

500 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

T_vj= T_{vj max}, i_T= 1000 A

Durchlaßspannung

on-state voltage

v_T

max. 1,66

1,15

T_vj= T_{vj max}

Schleusenspannung

threshold voltage

V_T(TO)

T_vj= T_{vj max}

Ersatzwiderstand

slope resistance

r_T

0,42

T_vj= 25°C, v_D=12 V

T_vj= 25°C, v_D= 12V

Zündstrom

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max. 250

max. 2,2

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12 V

Nicht zündener Steuerstrom

gate non-trigger current

max. 10

max. 5

T_vj= T_{vj max},v_D= 0,5 V_DRM

Nicht zündene Steuerspannung

gate non-trigger voltage

max. 0,25

max. 250

max. 1000

T_vj= 25°C, v_D= 12 V, R_A= 10 W

Haltestrom

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 12 V, R_GK>= 10 W

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

t_g= 20 µs

Einraststrom

I_L

latching current

T_vj= T_{vj max}

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse currents

i_D, i_R

max. 100

max. 1,5

µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

DIN IEC 747-6

t_gd

T_vj= 25°C

gate controlled delay time

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

1) Werte nach DIN IEC 747-6 (ohne vorausgehende Kommutierung). / Values to DIN IEC 747-6 (without prior commutation).

2) Unmittelbar nach der Freiwerdezeit, vgl. Meßbedingungen für t_q./ Immediately after circuit commutated turn-off-time,

see parameters t_q.

SZ-M / 12.10.98 , K.-A. Rüther

A 117 / 98

Seite/page 1

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与T599F12TEL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T599F12TEM	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 600000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1
T599F12TFC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 600000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1
T599F12TFL	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 600000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1
T599F12TGB	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 600000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1
T599F12TGL	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 600000mA I(T), 1200V V(DRM)
T599F12TGM	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 600000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1
T599F12TKB	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element
T599F12TKC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 600000mA I(T), 1200V V(DRM)
T599F12TKL	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element
T599F13TEB	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 600000mA I(T), 1300V V(DRM), 1300V V(RRM), 1

与T599F12TEL相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

26
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

10
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

11
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

32

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

T599F12TEL

T599F12TEL 技术参数

T599F12TEL 数据手册

与T599F12TEL相关器件

与T599F12TEL相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

T599F12TEL

T599F12TEL 技术参数

T599F12TEL 数据手册

与T599F12TEL相关器件

与T599F12TEL相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？