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T599F12TKB

更新时间： 2024-11-13 19:17:59

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英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
6页	80K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element

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T599F12TKB 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.63
标称电路换相断开时间：	40 µs	关态电压最小值的临界上升速率：	50 V/us
最大直流栅极触发电流：	250 mA	最大直流栅极触发电压：	2.2 V
最大维持电流：	250 mA	最大漏电流：	100 mA
通态非重复峰值电流：	10000 A	最大通态电压：	1.66 V
最大通态电流：	600000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	断态重复峰值电压：	1200 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

T599F12TKB 数据手册

Technische Information / Technical Information

Schneller Thyristor

Fast Thyristor

T 599 F 12...13

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

T_vj= - 40°C...T_{vj max}

T_vj= + 25°C...T_{vj max}

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

V_DRM, V_RRM

1200

1300

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

V_DSM

1200

1300

non-repetitive peak foward off-state voltage

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

V_RSM

1300

1400

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

RMSM on-state current

I_TRSMSM

1500

T_C= 85 °C

T_C= 47 °C

Dauergrenzstrom

I_TAVM

599

960

average on-state current

T_vj= 25°C, tp = 10 ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 10 ms

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

11.300

10.000

A²s*10³

T_vj= 25°C, tp = 10ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 10ms

Grenzlastintegral

I²t-value

I²t

638

500

Kritische Stromsteilheit

DIN IEC 747-6

f=50 Hz, i_GM= 1 A

di_G/dt = 1 A/µs

(di_T/dt)_cr

200

A/µs

critical rate of rise of on-state current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

Kritische Spannungssteilheit

(dv_D/dt)_cr

critical rate of rise of off-state voltage

5. Kennbuchstabe / 5th letter B

5. Kennbuchstabe / 5th letter C

5. Kennbuchstabe / 5th letter L

5. Kennbuchstabe / 5th letter M

V/µs

500

1000

500 V/µs

50 V/µs

500 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

T_vj= T_{vj max}, i_T= 1000 A

Durchlaßspannung

on-state voltage

v_T

max. 1,66

1,15

T_vj= T_{vj max}

Schleusenspannung

threshold voltage

V_T(TO)

T_vj= T_{vj max}

Ersatzwiderstand

slope resistance

r_T

0,42

T_vj= 25°C, v_D=12 V

T_vj= 25°C, v_D= 12V

Zündstrom

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max. 250

max. 2,2

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12 V

Nicht zündener Steuerstrom

gate non-trigger current

max. 10

max. 5

T_vj= T_{vj max},v_D= 0,5 V_DRM

Nicht zündene Steuerspannung

gate non-trigger voltage

max. 0,25

max. 250

max. 1000

T_vj= 25°C, v_D= 12 V, R_A= 10 W

Haltestrom

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 12 V, R_GK>= 10 W

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

t_g= 20 µs

Einraststrom

I_L

latching current

T_vj= T_{vj max}

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse currents

i_D, i_R

max. 100

max. 1,5

µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

DIN IEC 747-6

t_gd

T_vj= 25°C

gate controlled delay time

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

1) Werte nach DIN IEC 747-6 (ohne vorausgehende Kommutierung). / Values to DIN IEC 747-6 (without prior commutation).

2) Unmittelbar nach der Freiwerdezeit, vgl. Meßbedingungen für t_q./ Immediately after circuit commutated turn-off-time,

see parameters t_q.

SZ-M / 12.10.98 , K.-A. Rüther

A 117 / 98

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