Datasheet > T436416A-8S

T436416A-8S

更新时间： 2024-10-31 22:42:31

品牌	Logo	应用领域
TMT		动态存储器
页数	文件大小	规格书
29页	710K
描述
4M X 16 SDRAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

T436416A-8S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.35	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	125 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
JESD-609代码：	e0	长度：	22.22 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP54,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.12 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

T436416A-8S 数据手册

tmCH

T436416A

4M x 16 SDRAM

SDRAM

1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM

FEATURES

GRNERAL DESCRIPTION

• 3.3V power supply

• Four banks operation

• LVTTL compatible with multiplexed address

• All inputs are sampled at the positive going

edge of system clock

The T436416A is 67,108,864 bits synchronous

high data rate Dynamic RAM organized as

4 x 1,048,576 words by 16 bits , fabricated with

high performance CMOS technology .

Synchronous design allows precise cycle control

with the use of system clock I/O transactions are

possible on every clockcycle . Range of operating

frequencies , programmable burst length and

programmable latencies allow the same device to

be useful for a variety of high bandwidth , high

performance memory system applications.

• Burst Read Single-bit Write operation

• DQM for masking

• Auto refresh and self refresh

• 64ms refresh period (4K cycle)

• MRS cycle with address key programs

- CAS Latency ( 2 & 3 )

- Burst Length ( 1 , 2 , 4 , 8 & full page)

- Burst Type (Sequential & Interleave)

• Available package type in 54 pin TSOP(II)

• Operating temperature : 0 ~ +70 °C

PIN ARRANGEMENT (Top View)

ORDERING INFORMATION

V s s

5 4

5 3

5 2

5 1

5 0

4 9

4 8

4 7

4 6

4 5

4 4

4 3

4 2

4 1

4 0

3 9

3 8

3 7

MAX

D Q 0

D Q 1 5

PACKAGE

PART NO.

V S S Q

FREQUENCY

D Q 1

D Q 2

D Q 1 4

D Q 1 3

54 pin TSOP(II)

T436416A-6S

T436416A-7S

T436416A-7.5S

T436416A-8S

T436416A-10S

166 MHz

S S Q

D Q 3

D Q 4

V D D Q

143 MHz

133 MHz

125 MHz

100 MHz

D Q 1 2

D Q 1 1

D D Q

S S Q

D Q 5

D Q 6

D Q 1 0

D Q 9

1 0

1 1

1 2

S S Q

5 4 P I N T S O P ( II)

( 4 0 0 m il 8 7 5 m il )

( 0 .8 m m P IN P IT C H )

54 pin TSOP(II)

lead-free

54 pin TSOP(II)

lead-free

1 3

1 4

D Q 7

D Q 8

V s s

T436416A-6SG

T436416A-7SG

166 MHz

143 MHz

D D

N .C / R F U

U D Q M

C L K

C K E

N .C

L D Q M

1 5

1 6

1 7

1 8

1 9

2 0

2 1

2 2

2 3

2 4

2 5

2 6

2 7

C A S

R A S

C S

54 pin TSOP(II)

lead-free

T436416A-7.5SG 133 MHz

3 6

3 5

3 4

3 3

3 2

3 1

3 0

2 9

2 8

B A 0

B A 1

A 1 0 / A P

A 0

A 1 1

A 9

54 pin TSOP(II)

lead-free

54 pin TSOP(II)

lead-free

T436416A-8SG

T436416A-10SG

125 MHz

100 MHz

A 8

A 7

A 1

A 6

A 2

A 5

A 3

A 4

V s s

TM Technology Inc. reserves the right

to change products or specifications without notice.

P. 1

Publication Date: MAY. 2003

Revision: B

12 3 4 5 6 7...29

中文翻译

下载PDF

与T436416A-8S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T436416A-8SG	TMT	获取价格	4M X 16 SDRAM
T436416C	TMT	获取价格	4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM
T436416C-6S	TMT	获取价格	4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM
T436416C-6SG	TMT	获取价格	4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM
T436416C-7S	TMT	获取价格	4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM
T436416C-7SG	TMT	获取价格	4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM
T436416D	TMT	获取价格	4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM
T436416D-5C	TMT	获取价格	4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM
T436416D-5CG	TMT	获取价格	4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM
T436416D-5S	TMT	获取价格	4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM

与T436416A-8S相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

22
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

23
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

46
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

54

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

T436416A-8S

T436416A-8S 技术参数

T436416A-8S 数据手册

与T436416A-8S相关器件

与T436416A-8S相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

T436416A-8S

T436416A-8S 技术参数

T436416A-8S 数据手册

与T436416A-8S相关器件

与T436416A-8S相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？