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T2851N42TOH

更新时间： 2024-09-15 19:45:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅栅极
页数 文件大小 规格书
7页 105K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 4130000mA I(T), 4200V V(DRM),

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T2851N42TOH 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.71标称电路换相断开时间：500 µs
关态电压最小值的临界上升速率：2000 V/us最大直流栅极触发电流：350 mA
最大直流栅极触发电压：2.5 V最大维持电流：350 mA
最大漏电流：400 mA通态非重复峰值电流：70000 A
最大通态电流：4130000 A最高工作温度：120 °C
最低工作温度：-40 °C峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
断态重复峰值电压：4200 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

T2851N42TOH 数据手册

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Technische Information / Technical Information  
Netz Thyristor  
Phase Control Thyristor  
T 2851N 42...52TOH  
N
Features:  
Volle Sperrfähigkeit bei 120° mit 50 Hz  
Full blocking capability at 120°C with 50 Hz  
Hohe Stoßströme und niedriger Wärme-  
widererstände durch NTV-Verbindung  
zwischen Silizium und Mo-Trägerscheibe.  
High surge currents and low thermal resistance  
by using low temperature-connection NTV between  
silicon wafer and molybdenum.  
Elektroaktive Passivierung durch a - C:H  
Electroactive passivation by a - C:H  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
tvj = -40°C ... tvj max  
Periodische Vorwärts - und Rückwärts - Spitzensperrspannung  
repetitive peak forward off-state and reverse voltage  
VDRM, VRRM  
4200  
4800  
5000  
5200  
V
V
V
V
f = 50 Hz  
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert  
RMS forward current  
ITRMSM  
6500  
A
tC = 85°C, f = 50Hz  
tC = 60°C, f = 50Hz  
Dauergrenzstrom  
mean forward current  
ITAVM  
2950  
4130  
A
A
tvj = 25°C, tp = 10ms, VR = 0  
tvj = tvj max, tp = 10ms, VR = 0  
Stoßstrom-Grenzwert  
surge forward current  
IFSM  
70 kA  
65 kA  
I2t  
24,5·106 A2s  
A2s  
tvj = 25°C, tp = 10ms  
tvj = tvj max, tp = 10ms  
Grenzlastintegral  
I2t-value  
21,0·106  
DIN IEC 747-6  
Kritische Stromsteilheit  
critical rate of rise of on-state current  
(di/dt)cr  
(dv/dt)cr  
150 A/µs  
f = 50Hz, iGM = 3A, diG/dt = 6A/µs  
tvj = tvj max, vD = 0,67 VDRM  
Kritische Spannungssteilheit  
critical rate of rise of off-state current  
2000 V/µs  
5. Kennbuchstabe / 5 th letter H  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
Durchlaßspannung  
on-state voltage  
typ  
1,55  
max  
1,65  
V
tvj = tvj max, iT = 4kA  
vT  
typ  
0,9  
0,162  
max  
0,97  
0,17  
tvj = tvj max  
Schleusenspannung / threshold voltage  
Ersatzwiderstand / slope resistance  
V(TO)  
rT  
V
mW  
typ  
-0,259  
0,000108 0,000285  
0,172 0,543  
-0,000866 -0,0328  
max  
-1,923  
A
B
C
D
tvj = tvj max  
Durchlaßrechenkennlinien  
600 A £ iT £ 6000 A  
On - state characteristics for calculation  
VT = A + B . iT + C . ln(iT+1) + D . ÖiT  
tvj = 25°C, vD = 6V  
tvj = 25°C, vD = 6V  
max  
Zündstrom  
gate trigger current  
IGT  
350 mA  
max  
Zündspannung  
VGT  
2,5 V  
gate trigger voltage  
tvj = tvj max, vD = 6V  
Nicht zündender Steuerstrom  
gate non-trigger current  
IGD  
20 mA  
10 mA  
tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM  
tvj = 25°C, vD = 0,5 VDRM  
nicht zündende Steuerspannung  
gate non-trigger voltage  
VGD  
0,4 V  
PM BIP / 2000-01-10, Keller  
Seite/page 1  
1234567

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与T2851N42TOH相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
T2851N42TOHXPSA1 INFINEON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 6500A I(T)RMS, 4200V V(DRM), 4200V V(RRM), 1 Element,
T2851N48TOH INFINEON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 6230A I(T)RMS, 4130000mA I(T), 4800V V(DRM), 4800V V(RRM), 1
T2851N48TOHXPSA1 INFINEON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 6230A I(T)RMS, 4130000mA I(T), 5000V V(DRM), 5000V V(RRM), 1
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 		Silicon Controlled Rectifier, 6230A I(T)RMS, 4130000mA I(T), 5200V V(DRM), 5200V V(RRM), 1
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 		RF Coaxial Connectors

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