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T1601N

更新时间： 2024-09-18 08:53:43

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EUPEC		栅极
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9页	274K
描述
Phase Control Thyristor

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T1601N 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.67	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	300 mA	JESD-30 代码：	O-CEDB-N2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	3450 A	断态重复峰值电压：	2800 V
重复峰值反向电压：	2800 V	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

T1601N 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 1601N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

3000

3400

3600

3200 V

3500 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

^PerK^iode^isn^cn^heda^Vt^oe^rwn^{ärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung}

^{repetitive peak forward off-state and re}E^verl^se^{e v}k^oltt^agr^eische Eigenschaften

4160 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_TRMSM

1920 A

2650 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 85 °C

T_C= 60 °C

I_TAVM

44000 A

41000 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

9680 10³ A²s

8400 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

f = 50 Hz, i_GM= 3 A, di_G/dt = 6 A/µs

300 A/µs

Kritische Stromsteilheit

critical rate of rise of on-state current

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

1000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

typ.

max.

1,35 V

1,5 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 2000A

v_T

typ.

max.

0,9 V

1 V

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

typ. 0,225 mΩ

max. 0,25 mΩ

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

r_T

typ.

-0,0978

Durchlaßkennlinie

on-state characteristic

200A ≤ i_F≤ 2500A

T_vj= T_{vj max}

0,000187

0,15

-0,00173

-0,0981

0,000153

0,143

max.

v_T= A + B ⋅ i_T+ C ⋅ Ln(i_T+ 1) + D ⋅ i_T

0,00466

350

Zündstrom

gate trigger current

T_vj= 25°C, v_D= 12 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

2,5

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

20 mA

10 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

0,4 V

350 mA

3 A

Haltestrom

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 12 V

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12 V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 3 A, di_G/dt = 6 A/µs, t_g= 20 µs

I_L

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

i_D, i_R

400 mA

1,5 µs

Zündverzug

DIN IEC 60747-6

t_gd

gate controlled delay time

T_vj= 25 °C,i_GM= 3 A, di_G/dt = 6 A/µs

C. Schneider

date of publication: 2006-05-05

revision:

prepared by:

approved by: J. Przybilla

BIP AM / SM PB, 2001-04-09, Przybilla J. / Keller

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与T1601N相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T1601N30TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4050A I(T)RMS, 1600000mA I(T), 3000V V(DRM), 3000V V(RRM), 1
T1601N32TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1600000mA I(T), 3200V V(DRM),
T1601N35TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1600000mA I(T), 3500V V(DRM)
T1601N36TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1600000mA I(T), 3600V V(DRM)
T1601N36TS20HOSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
T1605G-6I	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 A Logic Level Triac for LED Light Dimmers
T160N	ETC	获取价格	PHASE CONTROL THYRISTORS
T160N18BOFXPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier,
T1610	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 A Snubberless?, logic level and standard Triacs
T-16100	RHOMBUS-IND	获取价格	T1 / E1 / ISDN PRI Quad T1/E1

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