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Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> SZMMBZ20VAWT1G
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SZMMBZ20VAWT1G

更新时间： 2023-06-19 14:32:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 光电二极管瞬态抑制器
页数 文件大小 规格书
5页 107K
描述
齐纳保护，40 瓦峰值功率

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SZMMBZ20VAWT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
Factory Lead Time：16 weeks风险等级：5.47
最大击穿电压：21 V最小击穿电压：19 V
击穿电压标称值：20 V最大钳位电压：28 V
配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值反向功率耗散：40 W元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.2 W参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：17 V子类别：Transient Suppressors
表面贴装：YES技术：ZENER
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SZMMBZ20VAWT1G 数据手册

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MMBZ27VAWT1G  
40 Watt Peak Power  
Zener Transient Voltage  
Suppressors  
SC−70 Dual Common Anode Zeners  
for ESD Protection  
http://onsemi.com  
These dual monolithic silicon Zener diodes are designed for  
applications requiring transient overvoltage protection capability. They  
are intended for use in voltage and ESD sensitive equipment such as  
computers, printers, business machines, communication systems,  
medical equipment and other applications. Their dual junction common  
anode design protects two separate lines using only one package. These  
devices are ideal for situations where board space is at a premium.  
1
2
3
MARKING  
DIAGRAM  
Features  
AA MG  
SC−70  
CASE 419  
STYLE 4  
G
• SC−70 Package Allows Either Two Separate Unidirectional  
Configurations or a Single Bidirectional Configuration  
• Working Peak Reverse Voltage Range  
1
AA = Specific Device Code  
• Standard Zener Breakdown Voltage Range − 27 V  
M
= Date Code  
• Peak Power − 40 W @ 1.0 ms (Unidirectional),  
G
= Pb−Free Package  
per Figure 5 Waveform  
(Note: Microdot may be in either location)  
• ESD Rating:  
− Class 3B (>16 kV) per the Human Body Model  
− Class C (>400 V) per the Machine Model  
ORDERING INFORMATION  
†
• Low Leakage < 5.0 mA  
Device  
Package  
Shipping  
• Flammability Rating UL 94 V−0  
• This is a Pb−Free Device  
MMBZ27VAWT1G  
SC−70  
(Pb−Free)  
3000/Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Mechanical Characteristics:  
CASE: Void-free, transfer-molded, thermosetting plastic case  
FINISH: Corrosion resistant finish, easily solderable  
MAXIMUM CASE TEMPERATURE FOR SOLDERING PURPOSES:  
260°C for 10 Seconds  
Package designed for optimal automated board assembly  
Small package size for high density applications  
Available in 8 mm Tape and Reel  
Use the Device Number to order the 7 inch/3,000 unit reel.  
Replace the “T1” with “T3” in the Device Number to order the  
13 inch/10,000 unit reel.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2008  
1
Publication Order Number:  
May, 2008 − Rev. 0  
MMBZ27VAW/D  
12345

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SZMMBZ20VAWT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBZ20VAWT1G ONSEMI

完全替代

 齐纳保护，40 瓦峰值功率
SZMMBZ20VALT1G ONSEMI

功能相似

 Dual Common Anode Zener Diode Protection

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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SZMMBZ27VAWT1G ONSEMI

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 		齐纳保护，40 瓦峰值功率
SZMMBZ27VCLT1 ONSEMI

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 		DIODE 40 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236AB, PLASTIC, CASE 318-08,
SZMMBZ27VCLT1G ONSEMI

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