是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PDSO-G3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.71 |
最大击穿电压: | 21 V | 最小击穿电压: | 19 V |
击穿电压标称值: | 20 V | 最大钳位电压: | 28 V |
配置: | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JEDEC-95代码: | TO-236 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 40 W |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.225 W |
参考标准: | AEC-Q101; IEC-61000-4-2 | 最大重复峰值反向电压: | 17 V |
最大反向电流: | 0.05 µA | 反向测试电压: | 17 V |
表面贴装: | YES | 技术: | ZENER |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MMBZ20VALT1G | ONSEMI |
类似代替 |
24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | |
MMBZ20VAWT1G | ONSEMI |
功能相似 |
齐纳保护,40 瓦峰值功率 | |
SZMMBZ20VAWT1G | ONSEMI |
功能相似 |
齐纳保护,40 瓦峰值功率 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SZMMBZ20VALT3 | ONSEMI |
获取价格 |
40W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN | |
SZMMBZ20VALT3G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Common Anode Zener Diode Protection | |
SZMMBZ20VAWT1G | ONSEMI |
获取价格 |
齐纳保护,40 瓦峰值功率 | |
SZMMBZ27VALT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Common Anode Zener Diode Protection | |
SZMMBZ27VALT3G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Common Anode Zener Diode Protection | |
SZMMBZ27VAWT1G | ONSEMI |
获取价格 |
齐纳保护,40 瓦峰值功率 | |
SZMMBZ27VCLT1 | ONSEMI |
获取价格 |
DIODE 40 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236AB, PLASTIC, CASE 318-08, | |
SZMMBZ27VCLT1G | ONSEMI |
获取价格 |
40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | |
SZMMBZ27VCLT3G | ONSEMI |
获取价格 |
40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | |
SZMMBZ27VCWT1G | ONSEMI |
获取价格 |
齐纳二极管保护,共阴极,40 瓦峰值功率 |