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SW-312

更新时间： 2024-11-06 22:14:51
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泰科 - TE 开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 224K
描述
GaAs SPDT Reflective Switch, DC - 3 GHz with TTL/CMOS Control Input

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SW-312 技术参数

生命周期：TransferredReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.08特性阻抗：50 Ω
构造：COMPONENT最大输入功率 (CW)：33.98 dBm
最大插入损耗：1.2 dB最大工作频率：3000 MHz
最小工作频率：最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-55 °C射频/微波设备类型：SPDT
最大电压驻波比：1.5Base Number Matches：1

SW-312 数据手册

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GaAs SPDT Reflective Switch, DC - 3  
GHz with TTL/CMOS Control Input  
V 3.00  
Features  
CR-9  
n
n
n
n
n
n
Integral TTL Driver  
Ultra Low Power Consumption  
Fast Switching Speed: 7 ns Typical  
Surface Mount Package  
50 Ohm Nominal Impedance  
MIL-STD-883 Screening Available  
Description  
M/A-COM’s SW-312 is a GaAs FET SPDT reflective  
switch with integral silicon ASIC driver. Packaged in a  
16-lead ceramic surface mount package, this device  
offers excellent performance and repeatability from DC  
to 3 GHz while maintaining low power consumption.  
The SW-312 is ideally suited for use where fast speed,  
low power consumption and broadband applications are  
required. MIL-STD-883 screening available.  
Electrical Specifications1,2  
(From –55°C to +85°C)  
Parameter  
Test Conditions  
Frequency  
Units  
Min  
Typ  
Max  
Insertion Loss  
—
DC - 3000 MHz  
DC - 2000 MHz  
DC - 1000 MHz  
DC - 500 MHz  
dB  
dB  
dB  
dB  
—
—
—
—
—
—
—
—
1.2  
1.1  
0.9  
0.8  
VSWR  
—
—
DC - 3000 MHz  
DC - 2000 MHz  
DC - 1000 MHz  
DC - 500 MHz  
Ratio  
Ratio  
Ratio  
Ratio  
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5:1  
1.4:1  
1.4:1  
1.3:1  
Isolation  
DC - 3000 MHz  
DC - 2000 MHz  
DC - 1000 MHz  
DC - 500 MHz  
dB  
dB  
dB  
dB  
30  
35  
40  
45  
—
—
—
—
—
—
—
—
Trise, Tfall  
Ton, Toff  
10% to 90%  
1.3V CTL to 90% / 10%  
In-Band  
—
—
—
ns  
ns  
—
—
—
7
—
—
—
18  
25  
Transients  
mV  
1 dB Compression  
Input Power  
0.05 GHz  
0.5 GHz to 3 GHz  
dBm  
dBm  
—
—
+25  
+30  
—
—
IP2  
IP3  
Two-Tone Input Power up to +5 dBm  
Two-Tone Input Power up to +5 dBm  
0.05 GHz  
0.5 GHz to 3 GHz  
dBm  
dBm  
—
—
+60  
+65  
—
—
0.05 GHz  
0.5 GHz to 3 GHz  
dBm  
dBm  
—
—
+40  
+46  
—
—
Vin Low  
Vin High  
0V to 0.8V  
—
—
µA  
µA  
—
—
—
—
1
1
2.0V to 5.0V  
1. All specifications apply when operated with bias voltages of +5V for Vcc and –5V for Vee.  
2. When DC blocks are used, a 10K ohm return to GND is required on the RFC port.  
123

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