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SVS65R380FJDD4

更新时间: 2024-03-03 10:09:28
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士兰微 - SILAN /
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13页 651K
描述
TO-220FJD-3L

SVS65R380FJDD4 数据手册

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士兰微电子  
SVS65R380FJ(FJD)(F)(D)D4 说明书  
典型特性曲线(续)  
7. 开启电压vs.温度特性  
8. 体二极管正向压降vs. 源极电流、温度  
100  
6
5
4
3
2
1
-55°C  
25°C  
150°C  
10  
1
注:  
1.250µS 脉冲测试  
2.VGS=0V  
注:ID=250µA  
0.1  
0.0  
-100  
-50  
0
50  
100  
150  
200  
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
1.4  
源漏电压 – VSD(V)  
结温 – TJ(°C)  
9. 电容特性  
10. 电荷量特性  
10000  
1000  
100  
10  
12  
10  
8
Ciss  
Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted)  
Coss=Cds+Cgd  
Crss=Cgd  
VDS=520V  
VDS=325V  
VDS=130V  
Coss  
Crss  
6
4
1
注:  
1. VGS=0V  
2. f=1MHz  
2
注:ID=11A  
0.1  
0
0
100  
200  
300  
400  
500  
600  
0
4
8
12  
16  
20  
漏源电压 - VDS(V)  
总栅极电荷 – Qg(nC)  
11. 击穿电压vs.温度特性  
12. 导通电阻vs.温度特性  
1.2  
1.1  
1.0  
0.9  
0.8  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
注:  
1. VGS=10V  
2. ID=5.5A  
注:  
1. VGS=0V  
2. ID=250μA  
-100  
-50  
0
50  
100  
150  
200  
-100  
-50  
0
50  
100  
150  
200  
结温 – TJ (°C)  
结温 – TJ (°C)  
杭州士兰微电子股份有限公司  
版本号:1.1  
13 页 第 5 页  
http: //www.silan.com.cn  

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