士兰微电子
SVS65R380FJ(FJD)(F)(D)D4 说明书
典型特性曲线(续)
图 7. 开启电压vs.温度特性
图 8. 体二极管正向压降vs. 源极电流、温度
100
6
5
4
3
2
1
-55°C
25°C
150°C
10
1
注:
1.250µS 脉冲测试
2.VGS=0V
注:ID=250µA
0.1
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
源漏电压 – VSD(V)
结温 – TJ(°C)
图9. 电容特性
图 10. 电荷量特性
10000
1000
100
10
12
10
8
Ciss
Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted)
Coss=Cds+Cgd
Crss=Cgd
VDS=520V
VDS=325V
VDS=130V
Coss
Crss
6
4
1
注:
1. VGS=0V
2. f=1MHz
2
注:ID=11A
0.1
0
0
100
200
300
400
500
600
0
4
8
12
16
20
漏源电压 - VDS(V)
总栅极电荷 – Qg(nC)
图 11. 击穿电压vs.温度特性
图 12. 导通电阻vs.温度特性
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
注:
1. VGS=10V
2. ID=5.5A
注:
1. VGS=0V
2. ID=250μA
-100
-50
0
50
100
150
200
-100
-50
0
50
100
150
200
结温 – TJ (°C)
结温 – TJ (°C)
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号:1.1
共 13 页 第 5 页
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