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SVS65R380FJDD4

更新时间： 2024-03-03 10:09:28

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士兰微 - SILAN		/
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13页	651K
描述
TO-220FJD-3L

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SVS65R380FJDD4 数据手册

士兰微电子

SVS65R380FJ(FJD)(F)(D)D4 说明书

极限参数（除非特殊说明，T_J=25C）

参数值

参数

符号

测试条件

单位

最小值

典型值

最大值

650

漏源电压

V_DS

V_GS

-20

-30

栅源电压（静态）

栅源电压（动态）

AC(f>1Hz)

T_C=25C

T_C=100C

T_C=25C

漏极电流

I_D

7.0

漏极脉冲电流

（注 1）

I_DM

耗散功率（ TO-220FJ-3L ）

（TO-220FJD-3L）

P_D

T_C=25C

（TO-220F-3L）（注 2）

耗散功率（TO-252-2L）（注 2）

P_D

104

219

L=79mH，V_DD=100V，R_G=25，

单脉冲雪崩能量

E_AS

开始温度T_J=25C

单脉冲雪崩电流

体二极管

I_AS

dv/dt

T_J

2.2

V/ns

C

V_DS=0~400V，I_SD<=I_S，T_J=25C

MOS 管 dv/dt 耐用性

工作结温范围

V_DS=0~480V

-55

150

贮存温度范围

T_stg

C

连续二极管正向电流

二极管脉冲电流

最大二极管整流速度

I_S

T_C=25C，MOS管中源极、漏极构

成的反偏P-N结

I_S,_pulse

di/dt

V_DS=0~400V，I_SD<= I_S，T_J=25C

500

A/µs

热特性

表 1. TO-220FJ-3L/TO-220FJD-3L/TO-220F-3L（SVS65R380FJ/FJD/FD4）热特性

参数值

参数

符号

测试条件

单位

最小值

典型值

最大值

5.4

芯片对表面热阻，底部

芯片对环境的热阻

R_θJC

R_θJA

T_sold

C/W

C

62.5

260

2

-0

sec，1time

焊接温度（直插式）

表 2. TO-252-2L（SVS65R380DD4）热特性

参数值

参数

符号

测试条件

单位

最小值

典型值

最大值

1.2

芯片对表面热阻，底部

芯片对环境的热阻

焊接温度（SMD）

R_θJC

R_θJA

T_sold

C/W

C

62.0

260

回流焊：10±1 sec，3times

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.1

共 13 页第 2 页

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