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SVS65R380FJDD4

更新时间： 2024-03-03 10:09:28

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士兰微 - SILAN		/
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TO-220FJD-3L

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SVS65R380FJDD4 数据手册

士兰微电子

SVS65R380FJ(FJD)(F)(D)D4 说明书

典型特性曲线（续）

图13-1. 最大安全工作区域

图13-2. 最大安全工作区域

(SVS65R380FJ/FJD/FD4)

(SVS65R380DD4)

10²

10¹

10⁰

10µs

10¹

100µs

1ms

10ms

10⁰

10^-1

10^-2

10ms

此区域工作受限于

R_DS(ON)

此区域工作受限于

R_DS(ON)

10^-1

10^-2

注: T_C=25°C

10⁰

注: T_C=25°C

10⁰

10²

10³

10^-1

10¹

10²

漏源电压- V_DS(V)

10³

10^-1

10¹

漏源电压- V_DS(V)

图14-1. 耗散功率vs.温度

图14-2. 耗散功率vs.温度

(SVS65R380FJ/FJD/FD4)

(SVS65R380DD4)

120

100

100 125 150 175

温度 – T_C(°C)

图16-1.瞬态热阻抗 vs. 脉冲宽度

图15.漏极电流 vs. 壳温

(SVS65R380FJ/FJD/FD4)

10⁰

70%

50%

30%

10%

10^-1

10^-2

10^-3

0.5%

0.2%

Single Pulse

注：D=t_p/T

10^-610^-510^-410^-310^-210^-110⁰10¹10²

100 125 150 175

壳温 –T_C(°C)

脉冲宽度–t_p(S)

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.1

共 13 页第 6 页

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