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SVS60R190P7D4

更新时间： 2024-03-03 10:09:47

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士兰微 - SILAN		/
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TO-247-3L

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SVS60R190P7D4 数据手册

士兰微电子

SVS60R190FJD(F)(D)(L8A)(T)(S)(K)(P7)(PN)D4 说明书

TO-247-3L

TO-3P

60R190D4

无卤

料管

SVS60R190P7D4

SVS60R190PND4

极限参数（除非特殊说明，T_J=25C）

参数值

参数

符号

测试条件

单位

最小值

典型值

最大值

漏源电压

V_DS

V_GS

-20

-30

600

栅源电压（静态）

栅源电压（动态）

AC(f>1Hz)

T_C=25C

T_C=100C

T_C=25C

漏极电流

I_D

漏极脉冲电流

（注 1）

I_DM

P_D

耗散功率(TO-220F-3L)

T_C=25C

(TO-220FJD-3L)

（注 2）

耗散功率(TO-252-2L) （注 2）

耗散功率

139

171

(DFN-4-8x8x0.85-2.0) （注 2）

耗散功率(TO-220-3L) （注 2）

(TO-263-2L)(TO-262-3L)

P_D

156

167

470

T_C=25C

耗散功率

（注 2）

(TO-247-3L) (TO-3P)

L=79mH，V_DD=100V，R_G=25，

单脉冲雪崩能量

E_AS

开始温度T_J=25C

单脉冲雪崩电流

体二极管

I_AS

dv/dt

T_J

3.2

V/ns

C

V_DS=0~400V，I_SD<=I_S，T_J=25C

MOS 管 dv/dt 耐用性

工作结温范围

V_DS=0~480V

-55

150

贮存温度范围

T_stg

C

连续二极管正向电流

二极管脉冲电流

最大二极管整流速度

I_S

T_C=25C，MOS管中源极、漏极构

成的反偏P-N结

I_S,_pulse

di/dt

V_DS=0~400V，I_SD<= I_S，T_J=25C

500

A/µs

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.2

共 17 页第 2 页

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