士兰微电子
SVS60R190FJD(F)(D)(L8A)(T)(S)(K)(P7)(PN)D4 说明书
典型特性曲线(续)
图 13-1. 最大安全工作区域(SVS60R190FJD/FD4)
102
图 13-2. 最大安全工作区域(SVS60R190DD4)
102
10µs
10µs
100µs
101
101
100
100µs
1ms
1ms
10ms
DC
10ms
100
此区域工作受限于
此区域工作受限于
DC
RDS(ON)
RDS(ON)
10-1
10-1
10-2
注: TC=25°C
注: TC=25°C
100
10-2
102
103
10-1
101
102
103
10-1
100
101
漏源电压- VDS(V)
漏源电压- VDS(V)
图 13-4. 最大安全工作区域
(SVS60R190T/S/KD4)
图 13-3. 最大安全工作区域(SVS60R190L8AD4)
102
102
101
100
10µs
10µs
100µs
1ms
10ms
DC
101
100
100µs
1ms
10ms
DC
此区域工作受限于
此区域工作受限于
RDS(ON)
RDS(ON)
10-1
10-2
10-1
10-2
注: TC=25°C
100
注: TC=25°C
100
102
103
102
漏源电压- VDS(V)
103
10-1
101
10-1
101
漏源电压- VDS(V)
图 13-5. 最大安全工作区域
(SVS60R190P7/PND4)
图14-1. 耗散功率vs.温度(SVS60R190FJD/FD4)
102
101
100
30
10µs
100µs
25
20
15
10
5
1ms
10ms
DC
此区域工作受限于
RDS(ON)
10-1
10-2
注: TC=25°C
100
0
102
103
10-1
101
0
25
50
75
100 125 150 175
漏源电压- VDS(V)
温度 – TC(°C)
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号:1.2
共 17 页 第 7 页
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