士兰微电子
SVGP157R2NS 说明书
典型特性曲线
图 1. 输出特性
图 2. 传输特性
1000
100
10
350
300
250
200
150
100
50
VGS=4.5V
VGS=5.0V
VGS=5.5V
VGS=6.0V
VGS=6.5V
VGS=7.0V
VGS=8.0V
VGS=10V
-55°C
25°C
150°C
注:
1.250µs 脉冲测试
2.TC=25°C
1
注:
1.250µs 脉冲测试
2.VDS=5V
0.1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
1
2
3
4
5
漏-源电压 - VDS (V)
栅-源电压 - VGS (V)
图 3. 导通电阻 vs. 漏极电流
图 4. 导通电阻 vs. 栅源电压
9
8
7
6
5
4
3
30
25
20
15
10
5
TJ=25°C
VGS=8V
VGS=10V
TJ=150°C
注:ID=100A
注:TC=25°C
120 150
0
0
30
60
90
4
5
6
7
8
9
10
漏极电流 - ID (A)
栅源电压 – VGS(V)
图 5. 开启电压 vs. 温度特性
图 6. 体二极管正向压降 vs. 源极电流和温度
1000
5
4
3
2
1
0
-55°C
25°C
150°C
100
10
1
注:
1.250µs 脉冲测试
2.VGS=0V
注:ID=250µA
100 150
200
结温 – TJ(°C)
0.1
-100
-50
0
50
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
源-漏电压 - VSD (V)
杭州士兰微电子股份有限公司
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版本号:1.4
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