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SVF7N65CFJH

更新时间： 2024-03-03 10:09:39

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士兰微 - SILAN		/
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TO-220FJH-3L

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SVF7N65CFJH 数据手册

士兰微电子

SVF7N65CFJH 说明书

电性参数(除非特殊说明，T_J=25C)

参数

漏源击穿电压

漏源漏电流

符号

BV_DSS

I_DSS

I_GSS

V_GS(th)

R_DS(on)

C_iss

测试条件

V_GS=0V，I_D=250µA

最小值

典型值

最大值

单位

650

V_DS=650V，V_GS=0V

V_GS=±30V，V_DS=0V

V_GS= V_DS，I_D=250µA

V_GS=10V，I_D=3.5

1.0

±100

4.0

1.4

µA

栅源漏电流

栅极开启电压

导通电阻

2.0

1.1

789

9.0

4.5



输入电容

输出电容

C_oss

C_rss

t_d(on)

t_r

V_DS=25V，V_GS=0V，f=1.0MHz

反向传输电容

开启延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

栅极电荷量

V_DD=325V，R_G=25Ω，I_D=7.0A

（注 2，3）

t_d(off)

t_f

Q_g

V_DS=520V，I_D=7.0A，V_GS=10V

（注 2，3)

栅极-源极电荷量

栅极-漏极电荷量

Q_gs

Q_gd

源-漏二极管特性参数

参数

源极电流

符号

I_S

测试条件

MOS 管中源极、漏极构成的反偏

P-N 结

最小值

典型值

最大值

7.0

单位

源极脉冲电流

源-漏二极管压降

反向恢复时间

反向恢复电荷

I_SM

V_SD

T_rr

I_S=7.0A，V_GS=0V

1.4

499

3.0

µC

I_S=7.0A，V_GS=0V，

dI_F/dt=100A/µs

（注 2）

Q_rr

注：

1. L=30mH，I_AS=5.0A，V_DD=100V，R_G=25Ω，开始温度 T_J=25C；

2. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；

3. 基本上不受工作温度的影响。

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.2

共 7 页第 2 页

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