5秒后页面跳转
SVF7N60CF PDF预览

SVF7N60CF

更新时间: 2024-04-09 19:03:02
品牌 Logo 应用领域
士兰微 - SILAN /
页数 文件大小 规格书
11页 452K
描述
TO-220F-3L

SVF7N60CF 数据手册

 浏览型号SVF7N60CF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SVF7N60CF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SVF7N60CF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SVF7N60CF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SVF7N60CF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SVF7N60CF的Datasheet PDF文件第7页 
士兰微电子  
SVF7N60CF/S/K/MJ/D/T 说明书  
-漏二极管特性参数  
参数  
符号  
测试条件  
MOS 管中源极、漏极构成的反偏  
P-N 结  
最小值  
典型值  
--  
最大值  
7.0  
28  
单位  
源极电流  
IS  
ISM  
VSD  
Trr  
--  
--  
--  
--  
--  
A
源极脉冲电流  
-漏二极管压降  
反向恢复时间  
反向恢复电荷  
--  
IS=7.0AVGS=0V  
IS=7.0AVGS=0V,  
dIF/dt=100A/µs  
--  
1.4  
--  
V
482  
2.9  
ns  
µC  
Qrr  
--  
注:  
1. L=30mHIAS=5.16AVDD=100VRG=25,开始温度TJ=25C;  
2. 脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%;  
3. 基本不受工作温度的影响。  
典型特性曲线  
1. 输出特性  
2. 传输特性  
100  
10  
1
100  
变量  
VGS=4.5V  
-55°C  
25°C  
VGS=5V  
150°C  
VGS=5.5V  
VGS=6V  
10  
VGS=7V  
VGS=8V  
VGS=10V  
VGS=15V  
1
注:  
1.250µS脉冲测试  
2.VDS=50V  
注:  
1.250µS 脉冲测试  
2.TC=25°C  
0.1  
0.1  
0.1  
1
10  
100  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
漏源电压 – VDS(V)  
栅源电压 – VGS(V)  
3. 导通电阻vs.漏极电流  
4. 体二极管正向压降vs. 源极电流、温度  
100  
1.50  
1.40  
1.30  
1.20  
1.10  
1.00  
-55°C  
25°C  
VGS=10V  
VGS=20V  
150°C  
10  
1
注:  
注:TJ=25°C  
1.250µS脉冲测试  
2.VGS=0V  
0.1  
0.2  
1.0  
1.2  
1.4  
0
2
4
6
8
10  
0.4  
0.6  
0.8  
源漏电压 – VSD(V)  
漏极电流 – ID(A)  
杭州士兰微电子股份有限公司  
http: //www.silan.com.cn  
版本号:1.8  
11 页 第 3 页  

与SVF7N60CF相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
SVF7N65CFJH SILAN TO-220FJH-3L

获取价格

SVF7N65CK SILAN TO-262-3L

获取价格

SVF7N65CMJ SILAN TO-251J-3L

获取价格

SVF7N65F SILAN N-channel transistor

获取价格

SVF7N65S SILAN N-channel transistor

获取价格

SVF7N65STR SILAN N-channel transistor

获取价格