士兰微电子
SVF7N60CF/S/K/MJ/D/T 说明书
源-漏二极管特性参数
参数
符号
测试条件
MOS 管中源极、漏极构成的反偏
P-N 结
最小值
典型值
--
最大值
7.0
28
单位
源极电流
IS
ISM
VSD
Trr
--
--
--
--
--
A
源极脉冲电流
源-漏二极管压降
反向恢复时间
反向恢复电荷
--
IS=7.0A,VGS=0V
IS=7.0A,VGS=0V,
dIF/dt=100A/µs
--
1.4
--
V
482
2.9
ns
µC
Qrr
--
注:
1. L=30mH,IAS=5.16A,VDD=100V,RG=25,开始温度TJ=25C;
2. 脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%;
3. 基本不受工作温度的影响。
典型特性曲线
图1. 输出特性
图2. 传输特性
100
10
1
100
变量
VGS=4.5V
-55°C
25°C
VGS=5V
150°C
VGS=5.5V
VGS=6V
10
VGS=7V
VGS=8V
VGS=10V
VGS=15V
1
注:
1.250µS脉冲测试
2.VDS=50V
注:
1.250µS 脉冲测试
2.TC=25°C
0.1
0.1
0.1
1
10
100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
漏源电压 – VDS(V)
栅源电压 – VGS(V)
图3. 导通电阻vs.漏极电流
图4. 体二极管正向压降vs. 源极电流、温度
100
1.50
1.40
1.30
1.20
1.10
1.00
-55°C
25°C
VGS=10V
VGS=20V
150°C
10
1
注:
注:TJ=25°C
1.250µS脉冲测试
2.VGS=0V
0.1
0.2
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
0.4
0.6
0.8
源漏电压 – VSD(V)
漏极电流 – ID(A)
杭州士兰微电子股份有限公司
http: //www.silan.com.cn
版本号:1.8
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