SUB75N08-10

更新时间： 2024-11-28 22:17:55

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
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4页	60K
描述
N-Channel 75-V (D-S), 175C MOSFET

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SUB75N08-10 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.79	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	187 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SUB75N08-10 数据手册

SUP/SUB75N08-10

Vishay Siliconix

N-Channel 75-V (D-S), 175_C MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_(BR)DSS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.010

TO-220AB

TO-263

DRAIN connected to TAB

D S

Top View

G D S

N-Channel MOSFET

SUB75N08-10

Top View

SUP75N08-10

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 125_C

Continuous Drain Current

(T = 175

_C)

240

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

L = 0.1 mH

280

= 25_C (TO-220AB and TO-263)

187

Power Dissipation

= 25_C (TO-263)

3.7

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

PCB Mount (TO-263)

Junction-to-Ambient

Junction-to-Case

thJA

thJC

Free Air (TO-220AB)

62.5

0.8

C/W

Notes

a. Package limited.

b. Duty cycle v 1%.

c. See SOA curve for voltage derating.

d. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).

Document Number: 70263

S-57253—Rev. B, 24-Feb-98

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

2-1

12 3 4

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