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SUB85N02-06-E3

更新时间： 2024-09-29 14:45:03

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
6页	70K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SUB85N02-06-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	85 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	120 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Base Number Matches：	1

SUB85N02-06-E3 数据手册

SUP/SUB85N02-03

Vishay Siliconix

N-Channel 20-V (D-S) 175_C MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_(BR)DSS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)^a

0.003 @ V = 4.5 V

0.0034 @ V = 2.5 V

0.0038 @ V = 1.8 V

TO-220AB

TO-263

DRAIN connected to TAB

D S

Top View

Ordering Information:

SUB85N02-03—E3 (Lead Free)

G D

Top View

Ordering Information:

SUP85N02-03—E3 (Lead Free)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

= 25_C

= 100_C

Continuous Drain Current (T = 175_C)

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

240

Repetitive Avalanche Energy

L = 0.1 mH

Power Dissipation

= 25_C

250

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

PCB Mount (TO-263)

62.5

0.6

Junction-to-Ambient

Junction-to-Case

thJA

Free Air (TO-220AB)

_C/W

thJC

Notes:

a. See SOA curve for voltage derating.

b. Duty cycle v 1%.

c. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).

Document Number: 71421

S-32619—Rev. B, 29-Dec-03

www.vishay.com

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