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STW12NC60

更新时间： 2024-01-30 09:21:46
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 89K
描述
N-CHANNEL 600V - 0.48ohm - 12A TO-247 PowerMeshII MOSFET

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STW12NC60 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.73雪崩能效等级（Eas）：850 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A最大漏极电流 (ID)：12 A
最大漏源导通电阻：0.55 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：190 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：18 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STW12NC60 数据手册

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STW12NC60  
N-CHANNEL 600V - 0.48  
Ω - 12A TO-247  
PowerMesh II MOSFET  
TYPE  
V
R
DS(on)  
I
D
DSS  
STW12NC60  
600V  
< 0.55Ω  
12 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.48Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
2
1
TO-247  
DESCRIPTION  
The PowerMESH II is the evolution of the first  
generation of MESH OVERLAY . The layout re-  
finements introduced greatly improve the Ron*area  
figure of merit while keeping the device at the lead-  
ing edge for what concerns swithing speed, gate  
charge and ruggedness.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Drain-source Voltage (V = 0)  
Value  
600  
Unit  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
600  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
±30  
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
12  
A
D
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
8
A
C
I
(●)  
Drain Current (pulsed)  
18  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
190  
W
TOT  
C
Derating Factor  
1.52  
3
W/°C  
V/ns  
°C  
°C  
dv/dt(1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
T
stg  
–65 to 150  
150  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(1)I ≤11A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX.  
(•)Pulse width limited by safe operating area  
SD  
DD  
June 2000  
1/8  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STW12NK60Z STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 950 V, 0.68 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH3

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